Захаров М.А.1, Кукушкин С.А.2, Осипов А.В.2
1Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ksa@phase.ipme.ru
Поступила в редакцию: 17 мая 2004 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2005 г.
На основании многомерной теории фазовых переходов первого рода изучена кинетика переключения многоосных сегнетоэлектрических кристаллов со 180o и 90o доменами при нормальном и послойном механизмах доменного роста. Теоретически исследованы основные стадии процесса переключения многоосного сегнетоэлектрика в предположении трехмерного роста переполяризованных областей цилиндрической формы. Выведена замкнутая система уравнений, описывающая кинетику переключения с учетом изменения переполяризации в процессе фазового превращения. Выведены уравнения, позволяющие рассчитывать ток переключения и его изменение во времени. Проведено качественное сопоставление основных характеристик переключения с соответствующими экспериментальными данными на примере титаната бария. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проекты N 03-01-00574 и 03-03-32503), Российского центра "Интеграция" (проекты N A0151 и Б0056), Программы "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19), гранта Минпромнауки (проект N 40.010.11.1195), государственного контракта (N НФМ-1/03, НШ-2288.2003.1) и программы РФФИ-NWO (проект N 047.011.2001.011) и гранта (N 35460-U "CONACYT") правительства Мексики.
- М.А. Захаров, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 46, 7, 1238 (2004)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80 (2001); 1, 88 (2001); 2, 312 (2001)
- С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332 (2002); 12, 2193 (2002)
- В.А. Шнейдман. ЖЭТФ 91, 2(8), 520 (1986)
- Ф.М. Куни, А.А. Мелихов. ТМФ 81, 2, 247 (1989)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 36, 5, 1258 (1994)
- Y. Ishibashi, Y. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971)
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с.
- Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
- Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
- M. Hayashi. J. Phys. Soc. Japan 33, 616 (1972)
- E.V. Burtsev, S.P. Chervonobrodov. Ferroelectrics 45, 97 (1982)
- M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
- A.K. Tagantsev, I. Stolichnov, E.L. Colla, N. Setter. J. Appl. Phys. 90, 3, 1387 (2001)
- R.E. Nettleton. J. Appl. Phys. 38, 7, 2775 (1967)
- W.J. Merz. J. Appl. Phys. 27, 938 (1956)
- H.L. Stadler. J. Appl. Phys. 33, 12, 3487 (1962).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.