Нелинейное магнито-оптическое поглощение в полупроводнике
Зенкова К.Ю.1, Зинченко А.А.1, Ницович Б.М.1
1Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
Email: os-dpt@phys.chsu.cv.ua
Поступила в редакцию: 1 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2000 г.
Исследуется влияние внешнего магнитного поля на оптические характеристики экситонных спектров полупроводника. Показано, что диамагнитный сдвиг экситонного уровня существенно изменяет динамику экситонного поглощения. Объединение электронных и магнитных свойств кристалла в экситонной области частот открывает новые возможности контроля за бистабильным поведением кристалла. Выявлено, что магнитно-оптический отклик полупроводника на лазерное излучение порождает бистабильные петли, причем как по интенсивности падающего света, так и по величине магнитного поля.
- Х. Гиббс. Оптическая бистабильность. Мир, М. (1988). 518 с
- D.A.B. Miller. J. Opt. Soc. Am. B1, 6, 857 (1984)
- B.M. Nitsovich, C.Yu. Zenkova. Optical Engineering 34, 4, 1072 (1995)
- Б.М. Ницович, К.Ю. Зенкова. ФТТ 38, 5, 1626 (1996)
- G. Zartov, K. Panajotov, T. Tenev, R. Peyeva. Proc. SPIE 3573, 516 (1998)
- Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. Наука, М. (1984). 272 с
- B. Evans, P. Young. Proc. Phys. Soc. 91, 572, 475 (1967)
- А.С. Давыдов. Теория твердого тела. Наука, М. (1976). 639 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук