Вышедшие номера
Влияние промежуточного слоя с переменной от координаты диэлектрической проницаемостью на энергию основного состояния электрона в сферической сложной наногетеросистеме
Бойчук В.И.1, Кубай Р.Ю.1
1Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
Email: fizmat@drohobych.net
Поступила в редакцию: 10 января 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.

Исследовано влияние границ раздела многослойного сферического микрокристалла на заряженную частицу. Рассматривается случай, когда возле границ раздела существует промежуточный слой, в котором диэлектрическая проницаемость является функцией координаты. Методом классических функций Грина установленa функциональная зависимость от расстояния потенциальной энергии заряда. На примере сферической структуры HgS / CdS рассчитана энергия основного и возбужденного состояний электрона как в случае наличия промежуточного слоя с переменной от координаты диэлектрической проницаемостью, так и в случае его отсутствия.