Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Диэлектрическая проницаемость эпитаксиальных пленок BaTiO3, выращенных на (001) YBa2Cu3O7-delta
Бойков Ю.А.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Чалмерский технический университет, Goteborg, Sweden
2Чалмерский технический университет, Goteborg, Sweden
Email: Yu.Boikov@shuvpop.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Эпитаксиальные гетероструктуры YBa2Cu3O7-delta/BaTiO3/YBa2Cu3O7-delta и YBa2Cu3O7-delta/(5 nm)SrTiO3/ BaTiO3/(5 nm)SrTiO3//YBa2Cu3O7-delta были выращены методом лазерного испарения на (100) LaAlO3. Диэлектрическая проницаемость слоя BaTiO3 увеличивалась примерно вдвое (T=300 K), когда между слоем сегнетоэлектрика и электродами из купратного сверхпроводника вводилась тонкая прослойка SrTiO3. Максимум на температурной зависимости диэлектрической проницаемости для слоя титаната бария в гетероструктуре YBa2Cu3O7-delta/(5 nm)SrTiO3/BaTiO3(5nm)SrTiO3 //YBa2Cu3O7-delta был сдвинут на 70-80 K в сторону низких температур относительно его положения на соответствующей зависимости для объемного монокристалла BaTiO3. На зависимости диэлектрической проницаемости от напряжения смещения для выращенных слоев BaTiO3 имелся четко выраженный гистерезис (T=300 K). Температура сверхпроводящего перехода для нижнего YBa2Cu3O7-delta электрода в гетероструктуре сверхпроводник/сегнетоэлектрик/сверхпроводник существенно зависела от скорости ее охлаждения после завершения процесса формирования. Исследование было проведено в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской Королевской академиями наук. Финансовая поддержка для выполнения данной работы была получена из проекта TFR N 240-97-382, проекта N 98-02-18222 Российского фонда фундаментальных исследований и проекта N 98041 "Комбинация", выполняемого в рамках направления "Сверхпроводимость".
- M.H. Frey, D.A. Payne. Appl. Phys. Lett. 63, 2753 (1993)
- D.M. Gill, B.A. Block, C.W. Conrad, B.W. Wessels, S.T. Ho. Appl. Phys. Lett. 69, 2968 (1996)
- J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, J.-H. Chu. Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999)
- H.B. Sharma, H.N.K. Sarma, A. Mansingh. J. Appl. Phys. 85, 341 (1999)
- I. Lubomirsky, D.T. Chang, O.M. Stafsudd. J. Appl. Phys. 85, 6690 (1999)
- W.J. Merz. Phys. Rev. 76, 1221 (1949)
- Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A.N. Kiselev, E. Olson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Technol. 12, 654 (1999)
- T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
- V. Srikant, E.J. Tarsa, D.R. Clarke, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 77, 1517 (1995)
- R.W.G. Wyckoff. Crystal Structures. Vol. 2. Interscience publishers, John Wiley \& Sons, N.Y. (1964). P. 391
- C. Zuccaro, M. Winter, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
- C.B. Eom, J.Z. Sun, K. Yamamoto, A.F. Marshall, K.E. Luther, T.H. Geballe, S.S. Laderman. Appl. Phys. Lett. 55, 595 (1989)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. (2001), in press
- W.J. Merz. Phys. Rev. 91, 513 (1953)
- D. Winkler, Y.M. Zhang, P.A. Nilsson, T. Claeson. Phys. Rev. Lett. 72, 1260 (1994)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
