Механизмы гетероэпитаксиального роста тонких пленок теллурида кадмия в тепловом поле градиента температуры
Беляев А.П.1, Рубец В.П.1, Нуждин М.Ю.1, Калинкин И.П.1
1Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
Email: belyaev@tu.spb.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2001 г.
Приведены результаты исследований процессов формирования пленок теллурида кадмия при конденсации из паровой фазы на подложку, вдоль которой приложено тепловое поле градиента температуры. Представлены результаты технологических, геометрических, электронографических и электронно-микроскопических исследований. Установлено, что тепловое поле градиента температуры изменяет продолжительность стадии оствальдовского созревания (ОС) и при определенных условиях способствует повышению совершенства формирующейся структуры. Выявлен механизм действия теплового поля на ОС. Продемонстрировано согласие с современной теорией формирования пленок. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-03-32676).
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорган. материалы 34, 3, 281 (1998)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. Неорган. материалы 35, 6, 657 (1999)
- А.П. Беляев, В.П. Рубец, И.П. Калинкин. ФТТ 39, 2, 382 (1997)
- И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 310 с
- Л.Н. Александров. Кинетика кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. Наука, Новосибирск (1985). 224 с
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
- Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. УФН 125, 3, 489 (1978)
- С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких пленок. Наука, СПб. (1996). 310 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.