На основании экспериментальных данных по изменению концентрации электронов проводимости при повышении температуры и теоретического рассмотрения ситуации в рамках модели мелкого примесного уровня показано, что в основе возникновения эффекта генерации электродвижущей силы в монокристаллах полупроводникового сульфида самария лежит накопление критической концентрации свободных электронов, приводящей к экранированию кулоновского потенциала примесных ионов Sm²⁺, ответственных за образование в запрещенной зоне донорных уровней с энергией активации 0.045 eV. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований N 00-02-16947.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.