Вышедшие номера
Спектры решеточного ИК-отражения напряженных сверхрешеток ZnSe/Zn1-xCdxSe, выращенных на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Виноградов В.С.1, Водопьянов Л.К.1, Козырев С.П.1, Садофьев Ю.Г.1
1Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Email: vodopian@sci.Lebedev.ru
Поступила в редакцию: 21 ноября 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Представлены результаты измерений спектров решеточного ИК-отражения сверхрешеток ZnSe/Zn1-xCdxSe (x=0.20, 0.40, 0.47), выращенных на подложке (001)GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Из математического анализа экспериментальных спектров установлено, что вместо ожидаемых двух ИК-активных решеточных мод слоев ZnSe и Zn1-xCdxSe наблюдается одна. Этот результат объясняется сближением частот решеточных мод слоев под воздействием внутренних упругих напряжений. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 00-2-16571).