Вышедшие номера
Обменное взаимодействие между электроном и дыркой в полупроводниках в методе сильной связи
Гупалов C.В., Ивченко Е.Л.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2001 г.

Обменное электронно-дырочное взаимодействие в полупроводниках проанализировано в рамках эмпирического метода сильной связи. Показано, что внутри- и межатомные вклады в дальнодействующее обменное взаимодействие входят неэквивалентно. В частности, для экситона Gamma_6 x Gamma7 в сферическом нанокристалле с кубической решеткой дипольно-дипольный вклад, обусловленный исключительно внутриатомными, или внутриузельными, переходами, не приводит к синглет-триплетному расщеплению экситонного уровня. Межатомные переходы, например анион-катионные переходы между ближайшими соседями в двойных полупроводниковых соединениях, определяют так называемый монополь-монопольный вклад в обменное расщепление экситона Gamma_6 x Gamma7, и этот вклад не исчезает в нанокристалле сферической формы. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (грант N 00-02-16997) и Министерством науки (программа "Физика наноструктур"). Работа С.В.Г. частично финансировалась Федеральным управлением военно-морских исследований (the Office of Naval Research) и Национальным научным фондом (the National Science Foundation) по грантам ЕСS-0072986, DMR9705403 и DMR-0073364.