Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Динамика диэлектрической проницаемости эпитаксиальных пленок Ba1-xSrxTiO3 (x=0.75): микроструктура, деполяризационные эффекты
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Поступила в редакцию: 7 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2001 г.
Трехслойные эпитаксиальные гетероструктуры, включающие электроды из металлического оксида (200 nm) SrRuO3 и промежуточный диэлектрический слой (700 nm) Ba0.25Sr0.75TiO3, были выращены методом лазерного испарения на подложках (001)LaAlO3. Максимальное значение диэлектрической проницаемости для слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 (varepsilon'/varepsilon0~3700) получено при TM=160 K и напряженности внешнего электрического поля E~106 V / m. Зависимость varepsilon'(T) для слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 в параэлектрической фазе хорошо экстраполировалась соотношением Кюри-Вейса, причем постоянная Кюри и температура Вейса незначительно отличались от соответствующих величин для объемных кристаллов. При подаче на электроды напряжения смещения ±2.5 V изменение диэлектрической проницаемости слоя Ba0.25Sr0.75TiO3 достигало 85%. Четко насыщенные петли гистерезиса на зависимости поляризации от электрического поля прослеживались до температур на 10-15 K выше TM. Исследования проведены в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Работа частично поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 99-02-18022).
- R.C. Neville, B. Hoeneisen, C.A. Mead. J. Appl. Phys. 43, 2124 (1972)
- G.A. Samara. Phys. Rev. 151, 378 (1966)
- A.D. Hilton, B.W. Ricketts. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 1321 (1966)
- C.S. Hwang. Mater. Sci. Eng. B56, 178 (1998)
- J.P. Hong, J.S. Lee. Appl. Phys. Lett. 68, 3034 (1966)
- J.-G. Cheng, X.-J. Meng, J. Tang, S.-L. Guo, J.-H. Chu. Appl. Phys. Lett. 75, 3402 (1999)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica C336, 300 (2000)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. J. Appl. Phys. 89, 9, 5053 (2001)
- S.Y. Hou, J. Kwo, R.K. Watts, J.-Y. Cheng, D.K. Fork. Appl. Phys. Lett. 67, 1387 (1995)
- A. von Hippel. Rev. Mod. Phys. 22, 221 (1950)
- J.C. Jiang, W. Tian, X. Dan, Q. Gan, C.B. Eom. Mater. Sci. Eng. B56, 152 (1998)
- J.-P. Maria, H.L. McKinstry, S. Trolier-McKinstry. Appl. Phys. Lett. 76, 3382 (2000)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Appl. Phys. Lett. Submitted to be publ
- D. Fuchs, M. Adam, P. Schweiss, S. Gerhold, S. Schuppler, R. Schueider, B. Obst. J. Appl. Phys. 88, 1844 (2000)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Physica B. Submitted to be publ
- E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heatherly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
- C. Zuccaro, M. Winter, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
- H.B. Sharma, H.N.K. Sarma, A. Mansingh. J. Appl. Phys. 85, 341 (1999)
- Y. Yoneda, T. Okabe, K. Sakaue, H. Terauchi, H. Kastani, K. Deguchi. J. Appl. Phys. 83, 2458 (1998)
- P. Wurfel, I.P. Batra. Phys. Rev. B8, 5126 (1973)
- I.P. Batra, P. Wurfel. B.D. Silverman. Phys. Rev. B8, 3257 (1973)
- Yu.A. Boikov, Z.G. Ivanov, A. Kiselev, E. Olsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 78, 4591 (1995)
- S. Saha, S.B. Krupanidhi. Mater. Sci. Eng. B57, 135 (1999)
- W.J. Merz. Phys. Rev. 77, 52 (1950)
- W.J. Merz. Phys. Rev. 91, 513 (1953)
- C. Kittel. Introduction to Solid State Physics. 7th edn. John Wiley\&Sons, N.Y. (1996)
- C. Kittel. Phys. Rev. 83, 458 (1951)
- Д.Г. Санников. ЖЭТФ 41, 1( 7), 133 (1962)
- N.A. Pertsev, G. Arlt. Ferroelectrics 132, 27 (1992)
- Yu.A. Boikov, T. Claeson. Supercond. Sci. Tecnol. 12, 654 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
