Исследованы дефекты кристаллической структуры в монокристаллах твердых растворов Si_1-xGe_x, 1-9 at.% Ge, выращенных методом Чохральского. Исследование проведено методами рентгеновской дифракционной топографии на лабораторном и синхротронном источниках излучения, рентгеновской дифрактометрией, а также синхротронной фазовой радиографией. Во всех исследованных кристаллах независимо от концентрации Ge наблюдались примесные полосы (полосы роста). Было показано, что увеличение концентрации Ge в интервале 7-9 at.% приводило к зарождению и скольжению дислокаций по нескольким системам кристаллографических плоскостей и образованию полос скольжения. В местах пересечения полос скольжения наблюдались области с локальной блочной структурой. Наиболее вероятной причиной образования полос скольжения было неоднородное распределение Ge как по диаметру слитка, так и по оси роста. Таким образом, структурное качество монокристаллов твердых растворов Si_1-xGe_x может быть улучшено путем повышения степени однородности их состава. Работа выполнена в рамках программы "Низкоразмерные квантовые структуры" Президиума РАН (6.3).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.