Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Структурные исследования монокристаллов Si_1-xGe_x рентгенодифракционными методами

Аргунова Т.С.¹, Гуткин М.Ю.², Забродский А.Г.¹, Сорокин Л.М.¹, Трегубова А.С.¹, Щеглов М.П.¹, Абросимов Н.В.³, Je J.H.⁴, Yi J.M.⁴

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Institute of Crystal Growth, Berlin, Germany
⁴Department of Materials Science and Engineering, Pohang University of Science and Technology, Pohang, Republic of Korea

Поступила в редакцию: 14 октября 2004 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы дефекты кристаллической структуры в монокристаллах твердых растворов Si_1-xGe_x, 1-9 at.% Ge, выращенных методом Чохральского. Исследование проведено методами рентгеновской дифракционной топографии на лабораторном и синхротронном источниках излучения, рентгеновской дифрактометрией, а также синхротронной фазовой радиографией. Во всех исследованных кристаллах независимо от концентрации Ge наблюдались примесные полосы (полосы роста). Было показано, что увеличение концентрации Ge в интервале 7-9 at.% приводило к зарождению и скольжению дислокаций по нескольким системам кристаллографических плоскостей и образованию полос скольжения. В местах пересечения полос скольжения наблюдались области с локальной блочной структурой. Наиболее вероятной причиной образования полос скольжения было неоднородное распределение Ge как по диаметру слитка, так и по оси роста. Таким образом, структурное качество монокристаллов твердых растворов Si_1-xGe_x может быть улучшено путем повышения степени однородности их состава. Работа выполнена в рамках программы "Низкоразмерные квантовые структуры" Президиума РАН (6.3).

N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, V. Alex, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth 166, 657 (1996)
R.H. Deitch, S.H. Jones, T.G. Digges, jr. J. Electron. Mater. 29, 9, 1074 (2000)
A. Erko, N.V. Abrosimov, V. Alex. Cryst. Res. Technol. 37, 7, 685 (2002)
N.V. Abrosimov, A. Ludge, H. Riemann, W. Schroder. J. Cryst. Growth 237--239, 356 (2002)
O.V. Smirnova, V.V. Kalaev, Yu.N. Makarov, N.V. Abrosimov, H. Riemann. J. Cryst. Growth 266, 74 (2004)
K. Wieteska, W. Wierzchowski, W. Graeff, M. Lefeld-Sosnowska, M. Regulska. J. Phys. D: Appl. Phys. 36, A133 (2003)
N.V. Abrosimov, V. Alex, D.V. Dyachenko-Dekov, Yu.L. Iunin, V.I. Nikitenko, V.I. Orlov, S.N. Rosselenko, W. Schroder. Mater. Sci.\&Eng. A 234--236, 735 (1997)
Ю.Л. Иунин, В.И. Никитенко, В.И. Орлов, Д.В. Дьяченко-Деков, Б.В. Петухов, Н.В. Абросимов, С.Н. Россоленко, W. Schroder. ЖЭТФ 121, 1, 129 (2002)
I. Yonenaga. Mater. Sci.\&Eng. A 234--236, 559 (1997)
D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-ray diffractometry and topography. Taylor\&Francis, UK (1998). 250 p
A. Snigirerv, I. Snigireva, V. Kohn, S. Kuznetsov, I. Schelokov. Rev. Sci. Instrum. 66, 12, 5486 (1995)
P. Cloetens, R. Barrett, J. Baruchel, J.P. Guigay, M. Schlenker. J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 133 (1996)
G. Margaritondo, G. Tromba. J. Appl. Phys. 85, 7, 3406 (1999)
P.F. Fewster, N.L. Andrew. J. Appl. Cryst. 28, 451 (1995)
Р. Бернер, Г. Кронмюллер. Пластическая деформация монокристаллов. Мир, М. (1969). С. 33. [R. Berner, H. Kronmuller. Plastische Verformung von Einkristallen. Springer-Verlag (1965)]
Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. Атомиздат, М. (1972). 600 с
Ж. Фридель. Дислокации. Мир, М. (1967). 644 с
U. Bonse, W. Graeff. Naturf. 28a, 5, 558 (1973)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель