Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование структурных свойств и токового транспорта в нанокомпозите, сформированном на поверхности кремния посредством окисления пористого слоя
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
Email: aekalm@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 августа 2004 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2005 г.
Показана принципиальная возможность создания нанокомпозитного слоя Si-SiO2 путем окисления пористого кремния. Полученный при этом нанокомпозит состоит из оксида кремния с включениями кристаллического кремния в виде округлых частиц с размером в интервале 5-30 nm и нитевидной сетчатой структуры с толщиной нитей порядка нескольких нанометров. Измерены ВАХ полученных структур для различных случаев возбуждения образца (фото- и термостимуляция). Оценены величины концентрации ловушек и эффективной подвижности носителей. Выявлено наличие сильного захвата носителей заряда на ловушки, обусловленные развитым интерфейсом в структуре композита. Работа выполнена при поддержке программы ОФH РАН "Новые материалы и структуры".
- А.И. Гусев, А.А. Ремпель. Нанокристаллические материалы. Физматлит, М. (2001). 224 с
- М.С. Аблова, М.В. Заморянская, В.И. Соколов, Р.И. Хасанов. Письма в ЖТФ 29, 11, 41 (2003)
- B. Dac, S.P. McGinnis. Semicond. Sci. Technol. 14, 998 (1999)
- L.A. Balagurov, S.C. Bauliss, A.F. Orlov, B. Unal, D.G. Yarkin. Abstracts. Int. Conf. "Porous Semiconductors: Science and Technology". Madrid (2000). P. 53
- A.G. Gullis, L.T. Ganam, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys. 82, 909 (1997)
- D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, F. Koch. Phys. Stat. Sol. (b) 215, 871 (1999)
- T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B 45, 8989 (1992)
- O. Bisi, S. Ossicicni, L. Pavesi. Surf. Sci. Rep. 38, 1 (2000)
- X.L. Wu, S.J. Xiong, D.L. Fan, Y. Gu, X.M. Bao, B.B. Sui, M.J. Stokes. Phys. Rev. B 62, 12, R 7759 (2000)
- M. Ballucani, V. Bondarenko, G. Lamedica, V.A. Yakovleva, A. Ferrari. Appl. Phys. Lett. 74, 1960 (1999)
- M. Stewart, E.G. Robins, T.W. Geders, M.J. Allen, H.Ch Choi, J.M. Buriak. Abstracts. Int. Conf. "Porous Semiconductors: Science and Technology". Madrid (2000). P. 31
- D. Dimova-Malinovska. J. Lumin. 80, 207 (1999)
- Г.И. Сканави. Физика диэлектриков. Физматлит, М. (1958). Т. 2. 907 с
- B.E. Deal, E.H. Snow, C.A. Mead. J. Phys. Chem. Sol. 27, 11/12, 1873 (1966)
- A.M. Goodman. Phys. Rev. 114, 2, 588 (1966)
- А.П. Барабан, П.П. Коноров, А.А. Кручинин. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника 7, 31 (1985)
- R.M. Hill. Phyl. Mag. 24, 192, 1307 (1971)
- В.Ф. Корзо, В.Н. Черняев. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. Энрегия, М. (1977). 367 с
- М. Ламперт, П. Марк. Инжекционные токи в твердых телах. Мир, М. (1973). 413 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
