Методом атомно-силовой микроскопии исследована поверхность монокристаллов alpha-Al₂O₃, облученных ионами Bi с энергиями 710, 557, 269 и 151 MeV. Установлена зависимость формы радиационных дефектов, вызываемых отдельными ионами, от уровня ионизационных потерь энергии. Пороговое значение плотности ионизации, начиная с которого наблюдается изменение топографии поверхности, лежит в интервале 27-35 keV/nm. Рассмотрены возможные механизмы образования дефектов в модели термического пика: фазовый переход и генерация термоупругих напряжений в области трека высокоэнергетических ионов. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 00-02-16559).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.