Электронная структура и моделирование диэлектрической функции эпитаксиальных пленок beta-FeSi2 на Si(111)
Галкин Н.Г.1, Маслов А.М.1, Таланов А.О.2
1Дальневосточный государственный технический университет, Владивосток, Россия
2Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук, Владивосток, Россия
Email: galkin@iacp.dvo.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Оптические функции тонких эпитаксиальных пленок дисилицида железа (beta-FeSi2) рассчитаны из спектров отражения по интегральным соотношениям Крамерса-Кронига (КК) в диапазоне энергий 0.1-6.2 eV. Сопоставление расчетов по спектрам пропускания и отражения и по спектрам отражения из интегральных соотношений КК показало, что фундаментальный переход с энергией 0.87±0.01 eV является прямым. Построена эмпирическая модель диэлектрической функции для эпитаксиальных пленок beta-FeSi2, в которой в аналитическом виде описаны особенности зонной энергетической структуры пленок. Показано, что максимальный вклад в диэлектрическую функцию и спектр отражения в диапазоне энергий 0.9-1.2 eV вносит второй гармонический осциллятор 2D M0-типа с энергией 0.977 eV, который коррелирует со вторым прямым межзонным переходом в зонной энергетической структуре beta-FeSi2. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фанда фундаментальных исследований (грант N 00-02-81000Бел2000_a) и программы Министерства просвещения Российской Федерации "Фундаментальные исследования в области электроники и радиотехники" (грант КГ 98.7).
- M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys. 58, 6, 2 696 (1985),
- K. Radermacher, R. Carius, S. Mantl. Nuclear Instr. Meth. Phys. Res. B84, 1, 163 (1994)
- N.E. Christensen. Phys. Rev. B42, 9, 7 148 (1990)
- L. Miglio, G. Malegori. Phys. Rev. B52, 3, 1 448 (1995)
- A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, W. Henrion, M. Rebien, P. Stauss, H. Lange, G. Behr. J. Appl. Phys. 83, 8, 4 410 (1998)
- X. Chen, L. Wang, Q. Chen, R. Ni, C. Lin. Appl. Phys. Lett. 68, 6, 2 858 (1996)
- N.G. Galkin, A.M. Maslov, A.V. Konchenko. Thin Solid Films 311, 1, 230 (1997)
- S. Adachi. Phys. Rev. B38, 12, 12 345 (1988)
- S. Adachi, K. Sato. Jpn. J. Appl. Phys. 31, 3 907 (1992)
- R.A. Smith. Semiconductors. Cambridge University, Cambridge (1978). 480 p
- C.C. Kim, J.W. Garland, H. Abad, P.M. Raccah. Phys. Rev. B45, 16, 11 749 (1992)
- N. Lieske, R. Hezel. Phys. Stat. Sol. ( b) 92, 1, 159 (1979)
- X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. Nys, G. Dalmai. Appl. Surf. Sci. 56--58, 2, 472 (1992)
- Н.Г. Галкин, А.М. Маслов, А.В. Конченко, И.Г. Каверина, А.С. Гуральник. Оптика и спектроскопия 85, 4, 658 (1998)
- N. Onda, H. Sirringhaus, S. Goncalves-Conto, C. Schwarz, S. Zehnder, H. von Kanel. Appl. Surf. Sci. 73, 1, 124 (1993)
- S.J. Clark, H.M. Al-Allak, S. Brand, R.A. Abram. Phys. Rev. B58, 14, 10 389 (1998)
- R.K. Ahrenkiek. J. Opt. Soc. Amer. 61, 2, 1 851 (1971)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
