Мелкие термодоноры в монокристаллах кремния, легированных азотом
Воронков В.В.1, Воронкова Г.И.1, Батунина А.В.1, Головина В.Н.1, Арапкина Л.В.1, Тюрина Н.Б.1, Гуляева А.С.1, Мильвидский М.Г.1
1Государственный научно-иссследовательский институт редких металлов (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
Email: icpm@mail.girmet.ru
Поступила в редакцию: 11 апреля 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Кристаллы кремния, выращенные методом Чохральского и легированные азотом, содержат мелкие термодоноры (МТД), отсутствующие в контрольных кристаллах. В процессе отжига при температурах 600 или 650oC концентрация МТД выходит на насыщение, и эта концентрация зависит от содержания азота N по закону N1/2. Данный результат указывает на то, что МТД включает в свой состав только один атом азота, и наиболее вероятной моделью МТД-дефекта является комплекс NOm межузельного атома азота и m атомов кислорода. Число m оценено по данным о температурной зависимости константы равновесия для реакции образования комплекса, в среднем m=3.
- M. Suezawa, K. Sumino, H. Harada, T. Abe. Jpn. J. Appl. Phys. 25, 10, L859 (1986)
- H. Navarro, J. Griffin, J. Wever, L. Genzel. Solid State Commun. 58, 151 (1986)
- J.A. Griffin, J. Hartung, J. Weber, H. Havarro, L. Genzel. Appl. Phys. A48, 1, 41 (1989)
- A. Hara, T. Fukuda, T. Miyabo, I. Hirai. Appl. Phys. Lett. 54, 7, 626 (1989)
- A. Hara, M. Aoki, M. Koizuka, T. Fukuda. J. Appl. Phys. 75, 6, 2929 (1994)
- D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. Appl. Phys. Lett. 68, 4, 487 (1996)
- R.C. Newman, J.C. Tucker, N.G. Semaltianos, E.C. Lightowlers, T. Gregorkiewicz, I.S. Zevenbergen, C.A.J. Amerlaan. Phys. Rev. B54, 10, R6803 (1996)
- R.C. Newman, M.J. Ashwin, R.E. Pritchard, J.H. Tucker. Phys. Stat. Sol. (b) 210, 519 (1998)
- П.М. Гринштейн, Г.В. Лазарева, Е.В. Орлова, З.А. Сальник, В.И. Фистуль. ФТП 12, 1, 68 (1978)
- A. Kanamori, M. Kanamori. J. Appl. Phys. 50, 12, 8095 (1979)
- D. Yang, R. Fan, L. Li, D. Que, K. Sumino. J. Appl. Phys. 80, 3, 1493 (1996)
- Y. Yatsurugi, N. Akijama, Y. Endo, T. Nozaki. J. Electrochem. Soc. 120, 7, 975 (1973)
- Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. Мир, М. (1964). С. 392
- H.J. Stein. MRS Proc. 59, 523 (1986)
- T. Abe, H. Harada, N. Ozawa, K. Adomi. MRS Proc. 59, 537 (1986)
- F.B. Rasmussen, S. Oberg, R. Jones, C. Ewels, J. Goss, J. Miro, P. Deak. Mater. Sci. Eng. B36, 91 (1996)
- T. Ito, T. Abe. Appl. Phys. Lett. 53, 1, 39 (1988)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Наука, Л. (1972). С. 384
- H. Sawada, K. Kawakami. Phys. Rev. B62, 3, 1851 (2000)
- H. Kageshima, A. Taguchi, K. Wada. Appl. Phys. Lett. 76, 25, 3718 (2000)
- G.P. Ewels, R. Jones, S. Oberg, J. Miro, P. Deak. Phys. Rev. Lett. 77, 5, 865 (1996)
- P. Wagner, R. Oeder, W. Zulehner. Appl. Phys. A46, 1, 73 (1988)
- J. Mikkelsen. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 59, 19 (1986)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук