Измерены теплопроводность varkappa (в интервале 4-300 K) и электропроводность sigma (в интервале 80-300 K) поликристаллического образца Sm₃S₄ с параметром решетки a=8.505 Angstrem (с небольшим отступлением от стехиометрии в сторону Sm₂S₃). Показано, что при T>95 K, как и в стехиометрических образцах Sm₃S₄, наблюдается перескоковый механизм переноса заряда (sigma~exp(-Delta E/kT) с Delta E~ 0.13 eV). В области низких температур (до максимума теплопроводности кристаллической решетки varkappa_ph(T) ) varkappa_ph~ T^2.6, в интервале температур 20-50 K varkappa_ph~ T^-1.2, а при T>95 K, когда появляется перескоковый механизм переноса заряда, varkappa_ph~ T^-0.3 и наблюдается заметное остаточное тепловое сопротивление. Делается вывод, что в соединениях с негомогенной переменной валентностью редкоземельных ионов, к которым относится Sm₃S₄, при перескоках электронов с Sm²⁺ (ион с большим ионным радиусом) на Sm³⁺ (ион с меньшим ионным радиусом) и обратно возникают локальные напряжения в кристаллической решетке, приводящие к изменению температурной зависимости varkappa_ph с T^-1.2 на T^-0.3 и появлению заметного остаточного теплового сопротивления. Работа проводилась в рамках двустороннего соглашения между Российской и Польской академиями наук и выполнялась при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 99-02-18078) и Польского комитета научных исследований (грант N 2РОЗВ 129-19).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.