Вышедшие номера
Температурная зависимость времени спин-решеточной релаксации квадрупольных ядер в условиях насыщения линии ЯМР
Микушев В.М.1, Уляшев А.М.1, Чарная Е.В.1, Chandoul A.2
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петродворец, Россия
2Laboratoire de physique de la mati0.5pt`ere condensee, Faculte des Sciences de Tunis, Tunis, Tunisie
Email: mikushev@paloma.spbu.ru
Поступила в редакцию: 13 сентября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

Экспериментально проведено разделение механизмов спин-решеточной релакскции 69,71Ga в чистом и легированных медью и хромом кристаллах GaAs, 23Na в номинально чистом NaCl и 27Al в чистом и слаболегированном хромом кристаллах Al2O3 в диапазоне температур 80-300 K. Выделение вклада в релаксацию примесей осуществлялось путем дополнительного стационарного насыщения линии ЯМР резонансными магнитным и электрическим полями. Показано, что в условиях подавления примесного механизма релаксации температурная зависимость T1 в кристаллах арсенида галлия и хлористого натрия описывается в рамках модели рамановских двухфононных процессов в приближении Дебая, тогда как зависимость T1 от температуры в кристаллах корунда отклоняется от теоретических предсказаний для релаксации за счет спин-фононного взаимодействия.