Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2002, выпуск 6 » Статья стр. 1039
<<<>>>
Метастабильное оптическое поглощение и люминесценция кристаллов тетрабората лития Li2B4O7
Огородников И.Н.1, Яковлев В.Ю.2, Кружалов А.В.1, Исаенко Л.И.3
1Уральский государственный технический университет, Екатеринбург, Россия
2Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
3Конструкторско-технологический институт монокристаллов Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: ogo@dpt.ustu.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования метастабильного оптического поглощения нелинейных кристаллов Li2B4O7 (LTB) в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Методом абсорбционной оптической спектроскопии с наносекундным временным разрешением установлено, что короткоживущее оптическое поглощение данных кристаллов обусловлено оптическими переходами в дырочных центрах, а кинетика релаксации оптической плотности контролируется процессом междефектной туннельной рекомбинации с участием дырочных центров и электронных Li0-центров, представляющих собой нейтральные атомы лития. При 290 K Li0-центры совершают термостимулированную одномерную миграцию, которая не сопровождается выходом носителей заряда в зону проводимости или валентную зону. Показано, что кинетика импульсной катодолюминесценции LTB контролируется релаксационным процессом, связанным с туннельным переносом электрона с глубокого центра на мигрирующий в его окрестности дырочный полярон малого радиуса, с последующим формированием возбужденного состояния автолокализованного экситона (АЛЭ). Излучательная аннигиляция АЛЭ обусловливает характерную sigma-поляризованную люминесценцию LTB при 3.6 eV, кинетика которой контролируется туннельным переносом электрона.
  1. R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Ida, T. Fukuda, K. Yamanouchi. Appl. Phys. Lett. 70, 26, 3492 (1997)
  2. J.D. Garret, M. Natarajan, J.E. Greedan. J. Cryst. Growth 41, 225 (1977)
  3. M. Adachi, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. Pt 1, 24, S3, 72 (1985).
  4. M. Adachi, S. Yamamichi, M. Ohira, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. Pt 1, 28, S28-2, 111 (1989)
  5. T. Kitagawa, K. Higuchi, K. Kodaira. J. Ceram. Soc. Jpn. 105, 616 (1997)
  6. T.P. Balakireva, V.V. Lebold, V.A. Nefedov, M.V. Provotorov, A.A. Maier. Inorganic Mater. 25, 3, 462 (1989)
  7. S.J. Fan, G.S. Shen, W. Wang, J.L. Li, X.H. Le. J. Cryst. Growth Pt 2, 99, 1--4, 811 (1990)
  8. K. Byrappa, V. Rajeev, V.J. Hanumesh, A.R. Kulkarni, A.B. Kulkarni. J. Matter. Res. 11, 10, 2616 (1996)
  9. J. Krogh-Moe. Acta Cryst. 15, 3, 190 (1962)
  10. J. Krogh-Moe. Acta Cryst. B24, 2, 179 (1968)
  11. А.Э. Алиев, Я.В. Бурак, И.Т. Лысейко. Неорган. материалы 26, 9, 1991 (1990)
  12. С.Ф. Радаев, Н.И. Сорокин, В.И. Симонов. ФТТ 33, 12, 3597 (1991)
  13. А.О. Матковский, Д.Ю. Сугак, С.Б. Убизский, О.И. Шпотюк, Е.А. Черный, Н.М. Вакив, В.А. Мокрицкий. Воздействие ионизирующих излучений на материалы электронной техники. Свiт, Львов (1994). 212 с
  14. Я.В. Бурак, Б.Н. Копко, И.Т. Лысейко, А.О. Матковский, Р.Р. Слипецкий, У.А. Улманис. Неорган. материалы 25, 7, 1226 (1989)
  15. И.Н. Огородников, В.А. Пустоваров, А.В. Кружалов, Л.И. Исаенко, М. Кирм, Г. Циммерер. ФТТ 42, 3, 454 (2000)
  16. А.Ю. Кузнецов, Л.И. Исаенко, А.В. Кружалов, И.Н. Огородников, А.Б. Соболев. ФТТ 41, 1, 57 (1999)
  17. Б.П. Гриценко, В.Ю. Яковлев, Ю.Н. Сафонов. В кн.: Современное состояние и перспективы развития высокоскоростной фотографии, кинематографии и метрологии быстропротекающих процессов. Тез. докл. Всесоюзн. конф. М. (1978). С. 61
  18. В.Н. Пармон, Р.Ф. Хайрутдинов, К.И. Замараев. ФТТ 16, 9, 2572 (1974)
  19. Е.Ф. Долженкова, М.Ф. Дубовик, А.В. Толмачев, В.Н. Баумер, Л.А. Гринь, В.А. Тарасов. Письма в ЖТФ 25, 17, 78 (1999)
  20. С. Матыясик, Ю.В. Шалдин. ФТТ 43, 8, 1405 (2001)
  21. А.Э. Алиев, В.Ф. Криворотов, П.К. Хабибулаев. ФТТ 39, 9, 1548 (1997)
  22. И.Н. Огородников, А.В. Поротников, С.В. Кудяков, А.В. Кружалов, В.Ю. Яковлев. ФТТ 39, 9, 1535 (1997)
  23. Ю.Р. Закис, Л.Н. Канторович, Е.А. Котомин, В.Н. Кузовков, И.А. Тале, А.Л. Шлюгер. Модели процессов в широкощелевых твердых телах с дефектами. Физика твердого состояния. Зинатне, Рига (1991). 382 с
  24. А.Э. Алиев, Р.Р. Валетов. Кристаллография 36, 6, 1507 (1991)
  25. A.E. Aliev, I.N. Kholmanov, P.K. Khabibullaev. Sol. State Ionics 118, 1--2, 111 (1999)
  26. А.Э. Алиев, И.Н. Холманов, П.К. Хабибуллаев. ДАН 365, 2, 178 (1999)
  27. Ч.Б. Лущик, А.Ч. Лущик. Распад электронных возбуждений с образованием дефектов. Наука, М. (1989). 264 с
  28. У.Т. Рогулис, И.К. Витол. В кн.: Электронные процессы и дефекты в ионных кристаллах. Латв. ун-т им. П. Стучки, Рига (1985). С. 22--23
  29. А.К. Пикаев. Современная радиационная химия. Твердое тело и полимеры. Прикладные аспекты. Наука, М. (1987). 448 с.
  30. Я.В. Бурак, Я.О. Довгий, И.В. Китык. ЖПС 52, 1, 126 (1989)
  31. В.Н. Моисеенко, А.В. Вдовин, Я.В. Бурак. Опт. и спектр. 81, 4, 620 (1996)
  32. А.В. Вдовин, В.Н. Моисеенко, Я.В. Бурак. Опт. и спектр. 90, 4, 555 (2001)
  33. I.N. Ogorodnikov, V.A. Pustovarov, L.I. Isaenko, E.I. Zinin, A.V. Kruzhalov. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. A448, 1--2, 467 (2000)
  34. S. Iwai, T. Tokizaki, A. Nakamura, K. Tanimura, N. Itoh, A. Shluger. Phys. Rev. Lett. 76, 10, 1691 (1996)
  35. Е.А. Васильченко, И.А. Кудрявцева, А.Ч. Лущик, Ч.Б. Лущик, А.А. Маарос. ФТТ 40, 7, 1238 (1998)
  36. И.Н. Огородников, В.А. Пустоваров, М. Кирм, В.А. Кружалов, Л.И. Исаенко. ФТТ 43, 8, 1396 (2001)
  37. M. Martini, C. Furetta, C. Sanipoli, A. Scacco, K. Somaiah. Rad. Eff. Defect. Solid. 135, 1--4, 133 (1995)
  38. M. Martini, F. Meinardi, L. Kovacs, K. Polgar. Rad. Protect. Dosimetry Pt 1, 65, 1--4, 343 (1996).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme