Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на Si (100)

Гомоюнова М.В.¹, Пронин И.И.¹, Валдайцев Д.А.¹, Фараджев Н.С.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 13 сентября 2001 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучен процесс роста дисилицида кобальта на грани Si (100) в условиях реактивной эпитаксии при T=350^oC в диапазоне толщин напыленного кобальта 10-40 ML. Исследование проведено с помощью нового метода визуализации атомного строения приповерхностного слоя неупруго отраженными электронами средней энергии. Показано, что сформированные пленки состоят из зерен CoSi₂ (221) четырех азимутальных ориентаций, развернутых на 90^oC друг относительно друга. Такая доменная структура обусловлена фасетированием поверхности подложки плоскостями (111), происходящим в процессе силицидообразования. На фасетках (111) эпитаксиально растут слои CoSi₂(111) с B-ориентацией. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17288) и МПНТ (направление "Поверхностные атомные структуры", проект N 5.10.99).

I. Goldfarb, G.A.D. Briggs. Phys. Rev. B60, 7, 4800 (1999)
H.L. Meyerheim, U. Dobler, A. Puschmann. Phys. Rev. B44, 11, 5738 (1991)
D.D. Chambliss, T.N. Phodin, J.E. Rowe. Phys. Rev. B45, 3, 1193 (1992)
P.A. Bennett, S.A. Parikh, D.G. Cahill. J. Vac. Sci. Technol. A11, 1680 (1993)
M. Sosnowski, S. Ramae, W.L. Broun, Y.O. Kim. Appl. Phys. Lett. 65, 2943 (1994)
G. Rangelov, P. Augustin, J. Stober, Th. Fauster. Phys. Rev. B49, 11, 7535 (1994)
O.P. Karpenko, S.M. Yalisove. J. Appl. Phys. 80, 11, 6211 (1996)
H. Ikegami, H. Ikeda, S. Zaima, Y. Yasuda. Appl. Surf. Sci. 117/118, 275 (1997)
S.M. Yalisove, R.T. Tung, D. Lorentto. J. Vac. Sci. Technol. A7, 3, pt 1, 1472 (1989)
J.R. Jimenez, L.J. Schowalter, L.M. Hsiung, K. Rajan, S. Hashimoto, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Vac. Technol. A8, 3, pt 2, 3014 (1990)
L.J. Schowalter, J.R. Jimenez, L.M. Hsiung, K. Rajan, S. Hashimoto, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Crystal Growth 111, 948 (1991)
C.W.T. Bulle-Lieuwma, A.H. van Ommen, J. Hornstra, C.N.A.M. Aussems. J. Appl. Phys. 71, 5, 2211 (1992)
V. Scheuch, B. Voigtlander, H.P. Bonzel. Surf. Sci. 372, 71 (1997)
J.M. Gallego, R. Miranda, S. Molodsov, C. Laubschat, G. Kaindl. Surf. Sci. 239, 3, 203 (1990)
V. Buschmann, M. Rodewald, H. Fuess, G. van Tendeloo. J. Crystal Growth 191, 430 (1998)
R. Tung, F. Schrey, S.M. Yalisove. Appl. Phys. Lett. 55, 1, 2005 (1989)
R. Stadler, C. Schwarz, H. Sirringhaus, H. von Kanel. Surf. Sci. 271, 355 (1992)
B. Ilge, G. Palasantzas, J. de Nijis, L.J. Geerlings. Surf. Sci. 414, 279 (1998)
N.S. Faradzhev, M.V. Gomoyunova, I.I. Pronin. Phys. Low-Dim. Struct. 3/4, 93 (1997)
I.I. Pronin, M.V. Gomoyunova. Prog. Surf. Sci. 59, 1--4, 53 (1998)
М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. Завод. лаб. 67, 4, 24 (2001)
М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, Н.С. Фараджев. ФТТ 43, 3, 549 (2001)
I.I. Pronin, D.A. Valdaitsev, N.S. Faradzhev, M.V. Gomoyunova, P. Luches, S. Valeri. Appl. Surf. Sci. 175/176, 83 (2001)
И.И. Пронин, Д.А. Валдайцев, М.В. Гомоюнова, Н.С. Фараджев, А.Г. Банщиков. ЖТФ 68, 12, 80 (1998)
A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochim. Soc. 133, 666 (1986)
U. Starke, W. Weiss, K. Heinz, G. Rangelov, Th. Fauster, G.R. Casto. Surf. Sci. 352--354, 89 (1996)
И.И. Пронин, Н.С. Фараджев, М.В. Гомоюнова. ФТТ 40, 7, 1364 (1998)
K. Rajan, L.M. Hsiung, J.R. Jimenez, L.J. Schowalter, K.V. Ramanathan, R.D. Thompson, S.S. Iyer. J. Appl. Phys. 70, 9, 4853 (1991)
W. Weiss, U. Starke, K. Heinz, G. Rangelov, Th. Fauster, G.R. Casto. Surf. Sci. 347, 117 (1996)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель