Изложены результаты исследований фотоиндуцированных колебаний решетки, обусловленных наличием заряженных 3d-примесей (в частности, Ni) в полупроводниках II-IV (ZnSe, ZnO) и твердых растворах ZnSSe, ZnCdSe. Экспериментальные исследования оптическим методом экситонно-колебательной спектроскопии обнаруживают взаимодействие между локальными колебательными модами, что является следствием сильной ангармоничности локальных колебаний. Анализ колебательных повторений головной линии в спектрах позволяет указать на характер ангармоничности. Выполненные модельные расчеты для кристаллов ZnSe : Ni и ZnO : Ni свидетельствуют о сильной деформации ближайшего окружения заряженной примеси Ni. Сдвиги линий в расчетных и экспериментальных рентгеновских эмиссионных спектрах (XES) говорят о необходимости учета изменения зарядового состояния Ni.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.