Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Тараканов Е.А.1, Афанасьев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Показано, что в результате высокотемпературной обработки самополяризованных пленок цирконата-титаната свинца, содержащих избыток оксида свинца, и продолжительной последующей выдержки при комнатной температуре происходит перераспределение зарядов в приэлектродных областях сегнетоэлектрической пленки. Такая термообработка, как правило, приводит к исчезновению самополяризованного состояния и устранению диэлектрической неоднородности. Предложена модель тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора, позволяющая описать изменение формы петель гистерезиса (P-V), вольт-емкостных характеристик (C-V), а также частотно-зависимого пироотклика (LIMM). В рамках модели обсуждается влияние интерфейса и межкристаллитных границ на появление самополяризованного состояния, его изменение и исчезновение. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (EOO-3.4-350).
- A.L. Kholkin, K.G. Brooks, D.V. Taylor, S. Hiboux, N. Setter. Integr. Ferroelectrics 22, 525 (1998)
- R. Bruchhaus, D. Pitzer, M. Schreiter, W.J. Wersing. Electroceram. 3, 2, 151 (1999)
- И.П. Пронин, Е.Ю. Каптелов, Е.А. Тараканов, Т.А. Шаплыгина, В.П. Афанасьев. ФТТ 44, 4, 739 (2002)
- V.P. Afanasjev, A.A. Petrov, I.P. Pronin, E.A. Tarakanov, E.Yu. Kaptelov, J. Graul. J. Phys. D.: Cond. Matter 13, 39, 8755 (2001)
- D. Dimos, W.L. Warren, M.B. Sinclair, B.A. Tuttle, R.W. Schwartz. J. Appl. Phys. 76, 7, 4305 (1994)
- N.F. Foster. J. Appl. Phys. 40, 420 (1969)
- G. Suchaneck, R. Koehler, P. Padmini, T. Sandner, J. Frey, G. Gerlach. Surf. Coating Technol. 116-- 119, 1238 (1999)
- M. Adachi, T. Matsuzaki, N. Yamada, T. Shiosaki, A. Kawabata. Jpn. J. Appl. Phys. 26, 550 (1987)
- C.H. Choi, J. Lee. J. Phys. IV (France) 8, 109 (1998)
- E.G. Lee, J.K. Lee, J.-Y. Kim, J.G. Lee, H.M. Jang, S.J. Kim. J. Mater. Sci. Lett. 18, 2025 (1999)
- S. Okamura, S. Miyata, Y. Mizutani, T. Nishida, T. Shiosaki. Jpn. J. Appl. Phys. 38, pt I, 9B, 5364 (1999)
- В.П. Афанасьев, Г.Н. Мосина, А.А. Петров, И.П. Пронин, Л.М. Сорокин, Е.А. Тараканов. Письма в ЖТФ 27, 11, 56 (2001)
- M. Watamori, M. Isono, H. Madono, Y. Kawano., K. Sasabe, T. Hirao, K. Oura. Appl. Surf. Sci. 142, 422 (1999).
- M. Kobune, H. Ishito, A. Mineshige, S. Fujii, R. Kakayama, A. Tomozawa. Jpn. J. Appl. Phys. 37, pt I, 9B, 5154 (1998)
- S.B. Lang. Ferroelectrics 106, 269 (1990)
- G. Suchaneck, Th. Sandner, R. Kohler, P. Padmini, G. Gerlach, V.P. Afanasjev, E.A. Tarakanov. Proc. of Eleventh IEEE Int. Symp. on Applications of Ferroelectrics. Montreux, Sqitzerland (1998). P. 187
- К. Окадзаки. Технология керамических диэлектриков. Энергия, М. (1976). 336 с
- R.E. Jones. Solid State Technol. October, 201 (1997)
- R.J. Waser. Europhys. Ceram. Soc. 19, 655 (1999)
- J.J. Lee, C.I. Thio, M. Bhattacharya, S.B. Desu. Mat. Res. Symp. Proc. 361, 241 (1995)
- V.V. Prisedsky, V.I. Shishnovsky, V.V. Klimov. Ferroelectrics 17, 465 (1978)
- В.П. Афанасьев, Е.Ю. Каптелов, Г.П. Крамар, А.В. Панкрашкин, И.П. Пронин, А.В. Соснин. Сб. докл. 12-го Междунар. симп. "Тонкие пленки в электронике", ИПЦ "Контраст", Харьков (2001). С. 195
- В.И. Димза, А.Э. Круминь. Автометрия 5, 14 (1981).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.