Вышедшие номера
Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках
Пронин И.П.1, Каптелов Е.Ю.1, Тараканов Е.А.1, Афанасьев В.П.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

Показано, что в результате высокотемпературной обработки самополяризованных пленок цирконата-титаната свинца, содержащих избыток оксида свинца, и продолжительной последующей выдержки при комнатной температуре происходит перераспределение зарядов в приэлектродных областях сегнетоэлектрической пленки. Такая термообработка, как правило, приводит к исчезновению самополяризованного состояния и устранению диэлектрической неоднородности. Предложена модель тонкопленочного сегнетоэлектрического конденсатора, позволяющая описать изменение формы петель гистерезиса (P-V), вольт-емкостных характеристик (C-V), а также частотно-зависимого пироотклика (LIMM). В рамках модели обсуждается влияние интерфейса и межкристаллитных границ на появление самополяризованного состояния, его изменение и исчезновение. Работа поддержана грантом Российского фонда фундаментальных исследований (проект N 01-02-17-799) и грантом Министерства образования РФ (EOO-3.4-350).