Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках

Павлов А.Н.¹, Раевский И.П.¹

¹Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

Southern Federal University, Research Institute of Physics, Rostov-on-Don, Russia

Поступила в редакцию: 30 ноября 2001 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрено влияние на пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках переориентаций доменов, происходящих под действием механических напряжений. Учет 90^o доменных переориентаций при рассмотрении формирования потенциальных барьеров на границах кристаллитов позволяет правильно описать как величину, так и знак (плюс при сжатии, минус при растяжении) пьезорезистивных коэффициентов в BaTiO₃.

О. Сабури, К. Вакино, Н. Фудзикава. Полупроводники на основе титаната бария. Энергоиздат, М. (1982). С. 13
К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 615 с
J.S. Capurso, W.A. Schulze. J. Am. Cer. Soc. 81, 2, 337 (1998)
M. Guntersdorfer, W. Heywang. Solid State Electron. 10, 1117 (1967)
В.М. Гуревич. Электропроводность сегнетоэлектриков. Изд-во Комитета стандартов. М. (1969). 383 с
A. Amin. Phys. Rev. B40, 17, 11 603 (1989)
A.B. Alles, M.W. Murphy, J.J. Symanski, C.L. Tremper, W.A. Schulze. J. Appl. Phys. 77, 10, 5322 (1995)
J.S. Capurso, W.A. Schulze. J. Am. Cer. Soc. 87, 2, 347 (1998)
W. Heywang. J. Am. Cer. Soc. 47, 10, 484 (1964)
Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, Л. (1971). 476 с
И.П. Раевский, Е.И. Бондаренко, А.Н. Павлов, О.И. Прокопало, П.Ф. Тарасенко. ФТТ 26, 4, 1219 (1984)
А.Н. Павлов, И.П. Раевский, В.П. Сахненко. ФТТ 42, 11, 2060 (2000)
З.М. Лехцер, Э.В. Бурсиан. Сегнетоэлектрики. ЛГПИ, Л. (1978). С. 89--110
E.C. Subbarao, M.C. McQuarry, W.R. Buessem. J. Appl. Phys. 28, 10, 1194 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель