Исследованы структура и диэлектрические параметры промежуточного сегнетоэлектрического слоя в гетероструктуре (001)SrRuO₃|(100)Ba_0.75Sr_0.25TiO₃|(001)SrRuO₃, выращенной методом лазерного испарения на (001)La_0.294Sr_0.706Al_0.647Ta_0.353O₃. Растягивающие механические напряжения обусловили преимущественную ориентацию полярной оси в сегнетоэлектрике параллельно плоскости подложки. Остаточная поляризация в слое Ba_0.75Sr_0.25TiO₃ примерно линейно возрастала с понижением температуры в интервале 320-200 K. Реальная часть диэлектрической проницаемости промежуточного сегнетоэлектрического слоя достигала своего максимального значения varepsilon'/varepsilon₀=4400 при T_M~285 K (f=100 kHz). Резкий пик на температурной зависимости тангенса угла диэлектрических потерь для сегнетоэлектрического слоя Ba_0.75Sr_0.25TiO₃ наблюдался при T<T_M и сдвигался в сторону низких температур при понижении частоты и увеличении напряжения смещения, поданного на электроды. Исследования выполнены в рамках научного сотрудничества между Российской и Шведской королевской академиями наук. Финансовая поддержка работы частично осуществлялась в рамках проекта N 4Б19 Министерства науки Российской Федерации.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.