Вышедшие номера
X-центры в монокристаллах ZnSe<Ga> и ZnSe<As>
Ткачук П.Н.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Email: ptkachuk@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 13 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Приведены экспериментальные результаты исследований энергетического спектра X-центров в монокристаллах и , согласующиеся с известными расчетными данными. На основе координатно-конфигурационных диаграмм ассоциированных дефектов VZn-Gai и VSe-Asi, которые учитывают тетраэдрические и гексагональные позиции междоузельных атомов, объяснены сдвиг Стокса, эффект стабилизации уровня Ферми вблизи экстремумов разрешенных зон ZnSe, особенности термолюминесценции, межзонной фотолюминесценции и др. Отсутствие остаточной фотопроводимости связывается с наличием в кристаллах r- и s-центров рекомбинации.