Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Кинетика переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
2Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Email: ksa@math.ipme.ru
Поступила в редакцию: 24 января 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
На основании классической теории зарождения-роста исследуется кинетика переключения одноосных сегнетоэлектриков-сегнетоэластиков (СС) во внешних электрических и механических полях. Изучены стадия массовой переполяризации-передеформации и заключительная стадия (оствальдовское созревание) процесса переключения в СС с учетом изменения переполяризации и передеформации в процессе фазового превращения. Получены выражения, определяющие изменение переполяризации и передеформации с течением времени. Выведены уравнения, позволяющие рассчитывать величины тока поляризации и потока деформации, а также их изменение во времени. На примере переключения монокристаллов сегнетовой соли осуществлено сравнение основных характеристик переключения СС с экспериментальными данными. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-03-32471, 02-02-17216 и 02-02-16071), Российского центра "Интеграция" (проекты N A0151 и А0075), гранта "CONACYT" (проект N 32208), Программ "Управление нелинейными механическими системами в условиях неопределенности и хаоса" (проект N 19) и "Исследования в области естественных и гуманитарных наук. Университеты России" (проект N 990019).
- M. Molotskii, R. Kris, G. Rosenmann. J. Appl. Phys. 88, 9, 5318 (2000)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 80 (2001)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 1, 88 (2001)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 43, 2, 312 (2001)
- С.А. Кукушкин, М.А. Захаров. ФТТ 44, 2, 332 (2002)
- V.Ya. Shur. In: Ferroelectric Thin Films. Ferroelectricity and Related Phenomena. Vol. 10. Part 1. Gordon and Breach, Amsterdam (1996). P. 153
- В.Я. Шур, Е.Л. Румянцев, В.П. Куминов, А.Л. Субботин, Е.В. Николаева. ФТТ 41, 1, 126 (1999)
- H.M. Duiker, P.D. Beal. Phys. Rev. B41, 490 (1990)
- A.M. Bratkovsky, A.P. Levanyuk. Phys. Rev. Lett. 84, 3177 (2000)
- В.С. Бойко, Р.И. Гарбер, А.М. Косевич. Обратимая пластичность кристаллов. Наука, М. (1991). 280 с
- Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Наука, М. (1995). 304 с
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. УФН 168, 10, 1083 (1998)
- И.М. Фишман. УФН 155, 2, 329 (1988)
- С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсионные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): Механизмы образования тонких пленок. Наука, СПб (1996). 312 с
- Р. Лодиз, Р. Паркер. Рост монокристаллов. Мир, М. (1974). 540 с
- А.А. Чернов. В кн.: Современная кристаллография. Т. 3. Наука, М. (1980). С. 7
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Progr. Surf. Sci. 56, 1, 1 (1996)
- V.V. Slezov. Phys. Rev. 17, 1 (1995)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ЖЭТФ 113, 6, 2197 (1998)
- I. Ishibashi, Y. Takagi. J. Phys. Soc. Jpn. 31, 506 (1971)
- Ф. Иона, Д. Ширане. Сегнетоэлектрические кристаллы. Мир, М. (1965)
- Дж. Барфут. Введение в физику сегнетоэлектрических явлений. Мир, М. (1979). 352 с
- Г.А. Смоленский, Н.Н. Крайник. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Наука, М. (1968). 184 с
- C.L. Wang, L. Zhang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Phys. Lett. A254, 297 (1999)
- Н.Н. Крайник, Л.С. Камзина. ФТТ 37, 4, 999 (1995)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
