Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2005, выпуск 12 » Статья стр. 2121
<<<>>>
Атомная структура нитевидных нанокристаллов GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Сошников И.П.1,2, Цырлин Г.Э.1,2,3, Тонких А.А.2,3, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Дубровский В.Г.1,2, Устинов В.М.1,2, Горбенко О.М.3, Litvinov D.4, Gerthsen D.4
1Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Technical University of Karlsruhe, Karlsruhe, Germany
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 28 декабря 2004 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.
PDF версия
Проведено исследование структурных свойств нитевидных нанокристаллов GaAs и Al0.3Ga0.7As, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Продемонстрировано образование в исследуемых материалах гексагональных структур типа вюрцит и 4H-политип с характерными размерами до 100 nm и более. Сделан вывод о влиянии на образование гексагональной структуры симметрии активационного сплава Au-Ga. Работа выполнена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований. Г.Э.Ц. выражает признательность Alexander von Humboldt Schtiftung, A.A.T. благодарит Deutsche Forschungsgemeinschaft.
  1. K. Hiruma, M. Yazawa, K. Haraguchi, K. Ogawa, T. Katsuyama, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys. 74, 5, 3162 (1993)
  2. B.J. Ohlsson, M.T. Bjork, M.H. Magnusson, K. Deppert, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Appl. Phys. Lett. 79, 20, 3335 (2001)
  3. V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, Yu.B. Samsonenko, N.V. Sibirev, V.M. Ustinov. Phys. Stat. Sol. (b) 241, 7, R 30 (2004)
  4. А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, И.П. Сошников, В.М. Устинов. ФТП 38, 10, 1239 (2004)
  5. И.П. Сошников, А.А. Тонких, Г.Э. Цырлин, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов. Письма в ЖТФ 30, 18, 28 (2004)
  6. X. Duan, J. Wang, C.M. Lieber. Appl. Phys. Lett. 76, 9, 1116 (2000)
  7. Z.H. Wu, X.Y. Mei, D. Kim, M. Blumin, H.E. Ruda. Appl. Phys. Lett. 81, 27, 5177 (2002)
  8. X. Mei, D. Kim, H.E. Ruda. Appl. Phys. Lett. 81, 2, 361 (2002)
  9. G.W. Picrell, K.L. Chang, J.H. Epple, K.Y. Cheng, K.C. Hsieh. J. Vac. Sci. Technol. B 18, 6, 2611 (2000)
  10. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. Наука, М. (1977). 304 с
  11. M.P. Persson, H.Q. Xu. Appl. Phys. Lett. 81, 7, 1309 (2002)
  12. M.S. Gudiksen, L.J. Lauhon, J. Wang, D.C. Smith, C.M. Lieber. Nature 415, 6872, 617 (2002)
  13. K. Hiruma, M. Yazawa, T. Katsuyama, K. Ogawa, K. Haraguchi, M. Koguchi, H. Kakibayashi. J. Appl. Phys. 77, 2, 447 (1995)
  14. K. Haraguchi, T. Katsuyama, K. Hiruma. J. Appl. Phys. 75, 8, 4220 (1994)
  15. Ю.П. Гайдуков. УФН 142, 4, 571 (1984)
  16. С.С. Варшава, П.П. Петров, А.Д. Пыж. ФТП 15, 7, 1451 (1981)
  17. С.С. Варшава, Г.Н. Михайлова, К.С. Щерба. ФТП 14, 2, 413 (1980)
  18. G.W. Sears. Acta Met. 1, 453 (1953)
  19. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett. 4, 7, 89 (1964)
  20. Е.И. Гиваргизов. Кристаллография 20, 4, 812 (1975)
  21. W. Dittmar, K. Neumann. Z. Elektrochem. 64, 297 (1960)
  22. С.М. Поляков, Е.Н. Лаверко, В.М. Марахонов. Кристаллография 15, 3, 598 (1970)
  23. M. Koguchi, H. Kakibyashi, M. Yazawa, K. Hiruma, T. Katsuyama. Jpn. J. Appl. Phys. (Pt 1) 31, 7, 2061 (1992)
  24. A.I. Person, M.W. Larsson, S. Stenstroem, B.J. Ohlson, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Nature Mater. 3, 10, 677 (2004)
  25. V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, A.A. Tonkikh. Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev B 71, 205 325 (2005)
  26. L. Schubert, P. Werner, N.D. Zakharov, C. Gerth, F.M. Kolb, L. Long, U. Goesele, T.Y. Tan. Appl. Phys. Lett. 84, 24, 4968 (2004)
  27. И.П. Сошников, А.В. Лунев, М.Э. Гаевский, Л.Г. Роткина, С.И. Нестеров, М.М. Кулагина, В.Т. Барченко, И.П. Калмыкова, А.А. Ефимов, О.М. Горбенко. ЖТФ 71, 7, 106 (2001)
  28. I.P. Soshnikov, A.V. Lunev, M.E. Gaevski, L.G. Rotkina, N.A. Bert. Proc. SPIE Symp. on Microlitography 3048, 404 (1997)
  29. J.B. Malherbe. Critical Reviews in Solid State and Materials Sciences 19, 3, 127 (1994)
  30. S. Froyen, M. Cohen. Phys. Rev. B 28, 6, 3258 (1983)
  31. Р.Н. Кютт, В.П. Улин, А.А. Дышеков, Ю.П. Хапачев. ЖТФ 66, 12, 39 (1996)
  32. И.П. Сошников, О.М. Горбенко, А.О. Голубок, Н.Н. Леденцов. ФТП 35, 4, 361 (2001)
  33. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev. Phys. Rev. E 70, 031 604 (2004)
  34. Phase Diagrams of Binary Gold Alloys. Monograph Series on Alloy Phase Diagrams / Eds H. Okamoto, T.B. Massalski. American. Soc. for Metals. Metals Park, Ohio (1987). 369 p
  35. C.J. Cooke, W. Hume-Rothery. J. Less-Common Met. 10, 1, 42 (1966)
  36. V.G. Dubrovskii. Phys. Stat. Sol. (b) 171, 3, 345 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme