Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект Пула--Френкеля с учетом многофононной ионизации глубоких центров в аморфном нитриде кремния

Новиков Ю.Н.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: nov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 25 января 2005 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2005 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Для описания проводимости аморфного нитрида кремния использовался механизм Пула-Френкеля без учета и с учетом многофононной ионизации глубоких центров. Рассмотрена зависимость частотного фактора от силы электрон-фононного взаимодействия. С учетом слабой электрон-фононной связи в глубоких центрах получена величина частотного фактора nu~ 10¹⁵ s^-1, которая согласуется с оценками в оригинальной работе Френкеля. Работа поддержана Интеграционным проектом N 116 СО РАН.

Я.И. Френкель. ЖЭТФ 8, 12, 1292 (1938)
В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках. Изд-во ПИЯФ РАН, СПб. (1997). 375 с.
S.M. Sze. J. Appl. Phys. 38, 7, 2951 (1967)
B.M. Tao, D. Park, S.N. Mohammad et al. Phil. Mag. 73, 4, 723 (1996)
А.С. Гиновкер, В.А. Гриценко, С.П. Синица. Микроэлектроника 2, 4, 283 (1973)
В.А. Гриценко, Е.Е. Меерсон. Микроэлектроника 17, 6, 532 (1988)
P.C. Arnett, B.H. Yun. Appl. Phys. Lett. 26, 3, 94 (1974)
C.M. Svensson. J. Appl. Phys. 48, 1, 329 (1977)
В.М. Масловский, А.П. Нагин, Ю.Р. Чернышев. Микроэлектроника 14, 3, 239 (1985)
K.A. Nasyrov, V.A. Gritsenko, M.K. Kim et al. IEEE Electron. Dev. Lett. 23, 336 (2002)
В.А. Гриценко, Е.Е. Меерсон, И.В. Травков и др. Микроэлектроника 16, 1, 42 (1987)
H. Bachhofer, H. Reisinger, E. Bertagnolli et al. J. Appl. Phys. 89, 5, 2791 (2001)
S. Manzini. J. Appl. Phys. 62, 3278 (1987)
Ross A. Williams, Moiz M.E. Beguwala. IEEE Trans. Electron. Dev. ED-25, 1019 (1978)
В.А. Гуртов, А.И. Назаров, П.А. Райкерус. Микроэлектроника 16, 3, 269 (1987)
V.A. Gritsenko, E.E. Meerson, Yu.N. Morokov. Phys. Rev. B 57, R 2081 (1998)
P.C. Arnett. J. Appl. Phys. 46, 12, 5236 (1975)
В.Н. Абакумов, В. Карпус, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ФТП 22, 2, 262 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель