Исследовано влияние температуры постимплантационного отжига на электролюминесцентные, электрофизические и структурные свойства светодиодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si с удельным сопротивлением 0.5 и 500 Omegacm. Во всех спектрах доминируют пики электролюминесценции (ЭЛ), обусловленные зона-зонными излучательными переходами. Увеличение температуры отжига от 700 до 1100^oC сопровождается монотонным ростом квантовой эффективности для доминирующего пика ЭЛ и эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в базе светодиодов, а также трансформацией протяженных структурных дефектов. Анализ экспериментальных результатов показывает, что образовавшиеся протяженные структурные дефекты влияют на ЭЛ характеристики, скорее, через образование или геттерирование центров излучательной и безызлучательной рекомбинации, чем предотвращают уxод носителей заряда на центры безызлучательной рекомбинации. Наибольшая внутренняя квантовая эффективность достигнута после отжига при 1100^oC, когда протяженные структурные дефекты обнаружены не были. Ее величина оценена на уровне 0.4% при 300 K. Работа частично поддержана INTAS (грант N 2001-0194), Российским фондом фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16374 и 02-02-16692) и отделением физических наук РАН в рамках научной программы "Новые материалы и структуры".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.