Обнаружено расщепление линий оптических переходов экситонных состояний на два пика в системе Ge/Si с квантовыми точками при наложении электрического поля. При увеличении напряженности поля один из пиков смещается в область больших энергий оптических переходов (синее смещение), другой - в область меньших энергий (красное смещение). Результаты объясняются на основе представления об образовании диполей электрон-дырка двух типов, различающихся направлением дипольного момента и возникающих за счет локализации одного электрона в области вершины Ge пирамиды, а другого электрона - под основанием пирамиды. На основе метода сильной связи определены главные значения g-фактора дырочных состояний в квантовых точках Ge/Si. Показано, что g-фактор является сильно анизотропным, анизотропия ослабевает при уменьшении размера квантовых точек. Физические основы зависимости g-фактора от размеров квантовой точки заключаются в изменении вкладов в полную волновую функцию состояний с различными проекциями угловых моментов при вариации размеров. Расчеты показывают, что с уменьшением размера квантовых точек уменьшается вклад состояний тяжелых дырок с проекцией углового момента ± 3/2 и возрастает вклад состояний легких дырок и состояний спин-отщепленной зоны с проекцией углового момента ± 1/2. Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты N 02-02-16020, 03-02-16526), программы "Университеты России" (грант N УР.01.01.019) и INTAS (грант N 2001-0615).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.