Тонкие сегнетоэлектрические пленки частично дейтерированного бетаинфосфита (DBPI) выращены методом испарения на подложках NdGaO₃ с предварительно нанесенной на них системой встречно-штыревых электродов. Блочная структура пленок представляет собой текстуру, в которой полярная ось b ориентирована в плоскости, а ось a^* перпендикулярна плоскости пленки. Типичные размеры монокристаллических блоков в пленках DBPI значительно превышают расстояние между электродами встречно-штыревой системы (d=50 mum), однако нами были также получены пленки DBPI с блочной структурой, имеющей характерные размеры порядка d. Исследования диэлектрических свойств пленок показали, что размеры блочной структуры слабо влияют на поведение слабосигнального отклика, который в области фазового перехода характеризуется сильной аномалией емкости структуры при T=T_c и стеклоподобным поведением C и tgdelta в области температур 120-200 K. В отличие от этого низкочастотный сильносигнальный диэлектрический отклик (петли диэлектрического гистерезиса) в структурах с мелкими блоками существенно отличается от наблюдаемого для крупноблочных структур. Различие в частотном поведении петель гистерезиса в крупно- и мелкоблочных структурах связывается с ограничением движения доменных стенок в случае мелких блоков.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.