К вопросу о соответствии модели высокотемпературной преципитации классической теории зарождения
Таланин В.И.1, Таланин И.Е.1
1Институт экономики и информационных технологий, Запорожье, Украина
Email: v.i.talanin@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.
Рассмотрен вопрос об адекватности модели высокотемпературной преципитации в бездислокационных монокристаллах кремния классической теории зарождения и роста частиц второй фазы в твердых телах. Показано, что введение и учет тепловых условий роста кристалла в исходных уравнениях классической теории зарождения позволяют объяснить процессы преципитации в области высоких температур и расширяют таким образом теоретическую базу применения классической теории зарождения. В соответствии с моделью высокотемпературной преципитации наименьший критический радиус преципитатов кислорода и углерода наблюдается вблизи фронта кристаллизации. Во время охлаждения кристалла происходят рост и коалесценция преципитатов. В то же время в процессе термических обработок зарождение преципитатов начинается при низких температурах, а рост и коалесценция преципитатов происходят с увеличением температуры. Предполагается, что высокотемпературная преципитация примеси может определять общую кинетику дефектообразования в других бездислокационных монокристаллах полупроводников и металлов.
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: New research on semiconductors / Ed. T.B. Elliot. Nova Science Publ., Inc., N. Y. (2006). P. 31
- V.V. Voronkov. J. Cryst. Growth 59, 625 (1982)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Defect Diffusion Forum 230--232, 177 (2004)
- V.V. Voronkov, B. Dai, M.S. Kulkarni. Compr. Sem. Sci. Technol. 3, 81 (2011)
- M.S. Kulkarni, V.V. Voronkov, R. Falster. J. Electrochem. Soc. 151, G663 (2004)
- E. Haimi. In: Handbook of silicon based MEMS materials and technologies / Eds V. Lindroos, M. Tilli, A. Lehto, T. Motooka. Elsevier Publ., Inc., Oxford (2010). P. 59
- M.S. Kulkarni. Ind. Eng. Chem. Res. 44, 6246 (2005)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1925 (2010)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 53, 114 (2011)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 52, 1751 (2010)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. In: Advances in crystallization processes / Ed. Y. Mastai. INTECH Publ., Rijeka (2012). P. 611
- J.W. Cristian. The theory of transformations in metals and alloys. Pergamon Press, London (1965). 973 p
- J. Vanhellemont, C. Claeys. J. Appl. Phys. 62, 3960 (1987)
- M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 303, 438 (2007)
- M.S. Kulkarni. J. Cryst. Growth 310, 324 (2008)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Phys. Status Solidi A 200, 297 (2003)
- A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi A 81, 433 (1984)
- A.A. Sitnikova, L.M. Sorokin, I.E. Talanin, E.G. Sheikhet, E.S. Falkevich. Phys. Status Solidi A 90, K31 (1985)
- A. Bourret, J. Thibault-Desseaux, D.N. Seidman. J. Appl. Phys. 55, 825 (1984)
- V.T. Bublik, N.M. Zotov. Cryst. Rep. 44, 635 (1997)
- M. Itsumi. J. Cryst. Growth 237--239, 1773 (2002)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin, A.A. Voronin. Can. J. Phys. 85, 1459 (2007)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. Open Cond. Matter. Phys. J. 4, 8 (2011)
- V.I. Talanin, I.E. Talanin. J. Cryst. Growth 346, 45 (2012)
- Г. Эйринг, С.Г. Лин, С.М. Лин. Основы химической кинетики. Мир, М. (1983). 528 с
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 49, 450 (2007)
- В.И. Таланин, И.Е. Таланин. ФТТ 55, 247 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук