Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эффект структурирования гетероэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра

Сизов Ф.Ф.¹, Савкина P.K.¹, Смирнов А.Б.¹, Удовицкая P.C.¹, Кладько В.П.¹, Гудименко А.Й.¹, Сафрюк H.B.¹, Литвин O.C.¹

¹Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Lashkaryov Institute of Semiconductor Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine

Email: alex_tenet@isp.kiev.ua

Поступила в редакцию: 5 марта 2014 г.

Выставление онлайн: 20 октября 2014 г.

PDF версия

Методом рентгеновской дифрактометрии, а также атомной силовой и электронной микроскопии получены характеристики нарушенного слоя гетероструктур p-Cd_xHg_1-xTe/CdZnTe (x~0.223) после имплантации ионами серебра с энергией 100 keV и дозой имплантации Q=3.0·10¹³ cm^-2. Oбнаружено, что в результате ионной имплантации и последующего отжига (75^oС) на поверхности образцов Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te формируется однородный массив наноструктур. Рентгеновские исследования спектров структурированного образца Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te указывают на образование в приповерхностной (<100 nm) области базового материала фаз поликристаллического Hg(Cd)Te кубической структуры c составом x~0.20, а также оксида Ag₂O. Для объяснения наблюдаемых эффектов трансформации дефектно-примесной системы и структурирования поверхности гетероэпитаксиальной пленки узкозонного полупроводника привлекается деформационная модель.

Н.А. Соболев. ФТП 44, 1, 3 (2010)
J.B. Malherbe. In: Ion beam analysis of surfaces and interfaces of condensed matter systems / Ed. P. Chakraborty. Nova Science Publ., NY (2003). P. 357
X. Battle, A. Labarta. J. Phys. D 35, R15 (2002); M. Holdenried, H. Micklitz. Eur. Phys. J. 13, 205 (2000)
A. Meldrum, R. Lopez, R.H. Magruder, L.A. Boatner, C.W. White. In: Materials science with ion beams. Springer, Berlin-Heidelberg (2010). P. 255-285
К.Д. Мынбаев, В.И. Иванов-Омский. ФТП 40, 3, 3 (2006)
В.Б. Лазарев. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Наука, М. (1979). 339 c
Mercury cadmium telluride growth, properties and applications / Eds P. Capper, J. Garland. John Wiley \& Sons Ltd. (2011). 563 p
R.K. Savkina, A.B. Smirnov, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Technol. 22, 97 (2007)
A.M. White. J. Phys. D 14, 1, L1 (1981)
Y. Nemirovsky, E.J. Finkman. Electrochem. Soc. 126, 768 (1979)
V.P. Kladko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko. J. Phys. D 34, A87 (2001)
А.Н. Ефанов, В.П. Кладько. Металлофизика и новейшие технологии 28, 2, 227 (2006)
V.B. Molodkin, S.I. Olikhovskii, E.G. Len, E.N. Kislovskii, V.P. Kladko, O.V. Reshetnyk, T.P. Vladimirova, B.V. Sheludchenko. Phys. Status Solidi A 206, 1761 (2009)
A.B. Smirnov, O.S. Litvin, V.O. Morozhenko, R.K. Savkina, M.I. Smoliy, R.S. Udovytska, F.F. Sizov. Ukr. J. Phys. 58, 9, 872 (2013)
A. Rogalski. Progr. Quant. Electron. 36, 342 (2012)
H.P. Klug, L.E. Alexander. X-ray diffraction procedures for polycrystalline amorphous materials. 2nd ed. John Wiley, N.Y. (1974). P. 791
М.А. Кривоглаз. Диффузное рассеяние рентгеновских лучей и нейтронов на флуктуационных неоднородностях в неидеальных кристаллах. Наук. думка, Киев (1984). 287 c
Ж.М. Лен. Супрамолекулярная химия. Наука, Новосибирск (1998). 334 с
B.D. Cullity. Elements of X-ray diffraction. Addision-Wesley (1978). 828 p
Landolt-Bornstein. Numerical data and functional relationships in science and technology / Ed. K.H. Hellwege. Springer-Verlag, Berlin (1982). V. 17. P. 227
I. Utke, L. Parthier, M. Shenk. J. Cryst. Growth 123, 269 (1992)
С.Н. Якунин, Н.Н. Дремова. Письма в ЖЭТФ. 87, 9, 580 (2008)
А.И. Гусев. Нанокристаллические материалы: методы получения и свойства. УpO РАН, Eкатеринбург (1998). 200 c
V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, P.M. Lytvyn, O.M. Yefanov, N.V. Safriuk, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir, Jr, M.E. Ware, G.J. Salamo. Nanoscale Res. Lett. 7, 289 (2012)
К. Майер. Физико-химическая кристаллография. Металлургия, М. (1972). 478 с
T. Egami, Y. Waseda. J. Non-Cryst. Solids. 64, 113 (1984)
Л.С. Палатник, П.Г. Черемской, М.Я. Фукс. Поры в пленках. Энергоиздат, М. (1982). 216 с
H. Ebe, M. Tanaka, Y. Miyamoto. J. Electron. Mater. 28, 6, 854 (1999)
М.И. Ибрагимова, В.Ю. Петухов, И.Б. Хайбуллин. ФТП 27, 4, 560 (1993)
Ф.Ф. Сизов, Н.И. Клюй, А.Н. Лукьянов, Р.К. Савкина, В.Б. Лозинский, В.А. Мороженко, В.А. Дериглазов. ЖТФ 82, 8, 83 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель