Вышедшие номера
Электронный транспорт и детектирование терагерцевого излучения субмикронными полевыми транзисторами с двумерным электронным газом GaAs/AlGaAs
Антонов А.В.1, Гавриленко В.И.1, Демидов Е.В.1, Морозов С.В.1, Дубинов А.А.1, Lusakowski J.1, Knap W.2,3, Dyakonova N.2, Kaminska E.4, Piotrowska A.4, Golaszewska K.4, Shur M.S.3
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2GES--UMR, CNRS--Universite Montpellier 2, Montpellier, France
3Rensselaer Polytechnic Institute, Troy, N. Y., USA
4Institute of Electron Technology, 02-668 Warsaw, Poland
Email: more@ipm.sci-nnov.ru
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследуются электронный транспорт и отклик в терагерцевом диапазоне в полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом с высокой подвижностью. Особый интерес к таким транзисторам связан с возможностью создания на основе этих приборов приемников и генераторов, работающих в THz-диапазоне. Измерения величины и зависимости сопротивления сток-исток от магнитного поля используются для оценки электронной плотности и подвижности в канале транзистора. Результаты магнитотранспортных измерений используются для интерпретации наблюдаемого нерезонансного детектирования в транзисторах с шириной затвора от 0.8 до 2.5 mum.