Вышедшие номера
Резонансное стоксовое и антистоксовое комбинационное рассеяние света в наноструктурах CdSe / ZnSe
Валах М.Я.1, Стрельчук В.В.1, Семенова Г.Н.1, Садофьев Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 20 декабря 2003 г.

Исследованы спектры комбинационного рассеяния многослойных наноструктур CdSe / ZnSe с номинальной толщиной CdSe-вставки 2.1 монослоя. Обнаружена сильная зависимость интенсивности и частотного положения многофононных стоксовых и антистоксовых LO-полос от условий возбуждения. Полученные результаты интерпретированы как резонанс с различными экситонными переходами областей CdSe-вставки и барьерных слоев ZnSe. Отличие стоксовых и антистоксовых частот LO-полос при изменении условий резонанса подтверждает неоднородный характер полосы фотолюминесценции квантовых точек CdSe. Работа выполнена в рамках совместной Российско-украинской исследовательской программы "Нанофизика".