Вышедшие номера
Расширенная модель критического состояния: асимметричные петли намагниченности и полевые зависимости критического тока сверхпроводников
Гохфельд Д.М.1
1Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: gokhfeld@iph.krasn.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Представлена расширенная модель критического состояния, рассматривающая равновесную намагниченность поверхностного слоя и намагниченность центральной области сверхпроводящего образца. Вычислены распределения магнитного потока, реализующиеся в образце. Предложена аналитическая зависимость плотности критического тока от магнитного поля с разным поведением на масштабах малых и больших полей. Установлена связь асимметрии петель намагниченности и плотности критического тока с размером образца. Модель применима для параметризации петель намагниченности как монокристаллических, так и поликристаллических сверхпроводников.