Вышедшие номера
Изотопно-индуцированная генерация парамагнитных дефектов при пластическом деформировании кристаллов 29Si
Коплак О.В.1, Дмитриев А.И.1, Моргунов Р.Б.1
1Институт проблем химической физики РАН, Черноголовка, Россия
Email: o.koplak@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 апреля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Обнаружено, что количество парамагнитных кластеров, образующихся при пластической деформации кристаллов кремния, увеличивается в кристаллах, обогащенных изотопом 29Si. Установлено, что в деформационных кластерах парамагнитных дефектов имеются антиферромагнитные спин-спиновые взаимодействия с энергией ~ 30-50 K. Влияние сверхтонкого взаимодействия на спин-зависимые реакции кремния с кислородом либо изменение упругих констант и дилатации кристаллической решетки могут быть причинами образования деформационных дефектов в обогащенных кристаллах 29Si. Работа поддержана грантами РФФИ 13-07-12027 офи_м, 14-03-31004 мол_а.