Вышедшие номера
Проявления спин-зависимой рекомбинации в послесвечении кристаллов оксида цинка
Гурин А.С.1, Романов Н.Г.1, Толмачев Д.О.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: nikolai.romanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 января 2015 г.

Методом высокочастотного (94 GHz) оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР) исследовано длительное послесвечение при гелиевых температурах монокристаллов ZnO, выращенных гидротермальным методом. Регистрация по интенсивности послесвечения гигантских (до 30%) сигналов электронного парамагнитного резонанса мелких доноров и глубоких акцепторов, представляющих собой атомы лития, замещающие цинк в решетке ZnO, однозначно указывает на спин-зависимый характер донорно-акцепторной рекомбинации. Обнаружены изменения формы зарегистрированных по послесвечению спектров ОДМР акцепторов лития в зависимости от интервала времени, прошедшего после прекращения облучения, которые связаны с различием рекомбинации мелких доноров с аксиальными и неаксиальными центрами LiZn и изменением характера рекомбинации со временем. Работа поддержана Российским научным фондом (грант N 14-12-00859).