Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль краевых дислокаций в пластической релаксации гетероструктур GeSi/Si(001): зависимость механизмов введения от толщины пленки

Болховитянов Ю.Б.¹, Гутаковский А.К.¹, Дерябин А.С.¹, Соколов Л.В.¹

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: bolkhov@isp.nsc.ru

Поступила в редакцию: 29 сентября 2014 г.

Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что в гетеросистеме GeSi/Si(001) при несоответствии параметров решеток ~2% и более малая критическая толщина введения дислокаций приводит к реализации механизма наведенного зарождения дислокаций несоответствия. Этот механизм заключается в том, что поле напряжений ранее возникшей 60^o дислокации провоцирует введение вторичной 60^o дислокации с винтовой компонентой противоположного знака. В результате взаимодействия таких дислокационных пар образуются краевые дислокации несоответствия, которые и определяют процесс пластической релаксации. Этот механизм наиболее эффективно проявляется, когда введение дислокаций происходит при толщине пленок GeSi, только незначительно превышающей критическую толщину введения 60^o дислокаций, и присутствуют пронизывающие дислокации. Изменяя параметр несоответствия в гетеропаре, можно управлять доминирующим типом дислокаций несоответствия (60^o или краевые) в системе Ge на Si (001).

M. Bossi, G. Attolini. Progr. Cryst. Growth Charact. Mater. 56, 146 (2010)
E.A. Fitzgerald, Y.H. Xie, M.L. Green, D. Brasen, A.R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, B.E. Weir. Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991)
M. Currie, S.B. Samavedam, T.C. Langdo, W. Leitz, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998)
S.B. Samavedam, M. Currie, T. Langdo, E.A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 73, 2125 (1998)
K. Chilukuri, M.J. Mori, C.L. Dohrman, E.A. Fitzgerald. Semicond. Sci. Technol. 22, 29 (2007)
C. Rosenblad, H.R. Deller, A. Dommann, T. Meyer, P. Schroeter, H. von Kanel. J. Vacuum Sci. Technol. A 16, 2785 (1998)
R. Ginige, B. Corbett, M. Modreanu, C. Barrett, J. Hilgarth, G. Isella, D. Chrastina, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 21, 775 (2006)
G. Isella, J. Osmond, M. Kummer, R. Kaufmann, H. von Kanel. Semicond. Sci. Technol. 22, S26 (2007)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. Acta Mater. 61, 617 (2013)
S. Mader, A.E. Blakeslee, J.J. Angilello. J. Appl. Phys. 45, 4730 (1974)
E.A. Fitzgerald, D.G. Ast, P.D. Kirchne, G.D. Pettit, J.M. Woodall. J. Appl. Phys. 63, 693 (1988)
V.I. Vdovin. J. Cryst. Growth 172, 58 (1997)
E.P. Kvam, D.M. Maher, C.J. Humpreys. J. Mater. Res. 5, 1900 (1990)
J. Narayan, S. Sharan. Mater. Sci. Engng. B 10, 261 (1991)
S.A. Dregia, J.P. Hirsh. J. Appl. Phys. 69, 2169 (1991)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 312, 3080 (2010)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 310, 3422 (2008)
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov. J. Appl. Phys. 109, 123 519 (2011)
J.S. Speck, M.A. Brewer, G. Beltz, A.E. Romanov, W. Pompe. J. Appl. Phys. 80, 3808 (1996)
T.J. Gosling. J. Appl. Phys. 74, 5415 (1993)
K.H. Chang, P.K. Bhattacharya, R. Gibala. J. Appl. Phys. 66, 2993 (1989)
Ю.Б. Болховитянов, А.К. Гутаковский, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТТ 56, 247 (2014).
Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, M.A. Revenko. L.V. Sokolov. J. Cryst. Growth 293, 247 (2006)
R.S. Goldman, K.L. Kavanagh, H.H. Wieder, S.N. Ehrlich, R.M. Feenstra. J. Appl. Phys. 83, 5137(1998)
Y.B. Bolkhovityanov, L.V. Sokolov. Semicond. Sci. Technol. 27, 043 001 (2012)
P. Hirel, J. Godet, S. Brochard, L. Pizzagall, P. Beauchamp. Phys. Rev. B 78, 064 109 (2008)
L. Zuo, A.H.W. Ngan, G.P. Zheng. Phys. Rev. Lett. 94, 095 501 (2005)
T. Zhu, J. Li, A. Samanta, A. Leach, K. Gall. Phys. Rev. Lett. 100, 025 502 (2008)
J. Hornstra. J. Phys. Chem. Solids 5, 129 (1958)
A. Vila, A. Cornet, J.R. Morante. Appl. Phys. Lett. 68, 1244 (1996)
J.N. Stirman, P.A. Crozier, D.J. Smith, F. Philipp, G. Brill, S. Sivananthan. Appl. Phys. Lett. 84, 2530 (2004).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель