Проведены исследования оптического поглощения в крупных кристаллах Ti:сапфира (размерами до 175x175x40 mm), выращенных методом горизонтальной направленной кристаллизации с использованием зонного выравнивания распределения активатора в различных восстановительных атмосферах. Показана высокая однородность оптических характеристик и распределения центров окраски на основе Ti³⁺, Ti⁴⁺ и активаторно-вакансионных комплексов в выращенных кристаллах, которая в значительной степени определяется стабильностью восстановительного потенциала среды выращивания. Установлено, что концентрация активатора в зарядовом состоянии Ti⁴⁺ в кристаллах, выращенных в атмосфере СО+Н₂ низкого давления не превышает 1.5%, в атмосфере Ar составляет 0.2-0.5% от общего количества активатора. После дополнительного восстановительного отжига концентрация Ti⁴⁺ снижается до ~0.01%.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.