Вышедшие номера
Точечные дефекты в карбиде кремния как перспективная основа для спектроскопии одиночных дефектов с контролируемыми квантовыми состояниями при комнатной температуре
Солтамов В.А.1, Толмачев Д.О.1, Ильин И.В.1, Астахов Г.В.2, Дьяконов В.В.2, Солтамова А.А.1, Баранов П.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Experimental Physics VI, Julius-Maximilians University of Wurzburg, Wurzburg, Germany
Email: victor_soltamov@mail.ru
Поступила в редакцию: 5 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Методами фотолюминесценции, электронного парамагнитного и оптически детектируемого магнитного резонансов X-диапазона были исследованы спиновые и оптические свойства вакансионных кремниевых дефектов в карбиде кремния гексагонального политипа 6H. Было показано, что на различных конфигурациях этих дефектов возможно создавать оптическое выстраивание их спиновых подуровней как при низких температурах, так и при температурах порядка комнатных (T=293 K). Основной особенностью вакансионных кремниевых центров в карбиде кремния является то, что параметр расщепления в нулевом магнитном поле некоторых центров остается постоянным при изменении температуры, что свидетельствует о перспективности использования этих центров в целях квантовой магнитометрии. Также было показано, что ряд центров, наоборот, характеризуется сильной зависимостью параметра расщепления в нулевом магнитном поле от температуры, что свидетельствует о перспективности использования таких центров в качестве температурных сенсоров. Работа была поддержана Министерством образования и науки N 14.604.21.0083, Российским научным фондом (грант N 14-12-00859), РФФИ N 13-02-00589, Министерством образования и науки N 14.604.21.0083, грантом президента РФ N МК-6053.2013.2.