Влияние постоянного магнитного поля на дислокационный ангармонизм в кремнии
Скворцов А.А.1, Каризин А.В.1, Волкова Л.В.1, Корячко М.В.1
1Московский государственный машиностроительный университет (МАМИ), Москва, Россия
Email: SkvortsovAA2009@yandex.ru
Поступила в редакцию: 4 сентября 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.
Проведено исследование влияния постоянных магнитных полей на дислокационный ангармонизм монокристаллов кремния p-типа проводимости с удельным сопротивлением 6 Omega·cm. Выявлено, что предварительная выдержка дислокационного кремния (плотность дислокаций 104-106 cm-2) в постоянном магнитном поле (B=0.7 T, t=30 min) при комнатной температуре приводит к изменению нелинейного модуля упругости четвертого порядка betad. Наблюдаемые изменения связаны с динамикой магниточувствительных комплексов структурных дефектов, и, как следствие, с изменением длины колеблющегося дислокационного сегмента. По динамике betad(t) после выдержки образца в магнитном поле сделан вывод об увеличении длины колеблющегося дислокационного сегмента Ld на 30% и оценены характерные времена релаксации наблюдаемых эффектов. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 13-07-00514-а, а также НИР N 2290 в рамках государственного задания вузам.
- Jianfeng Zhang, Fu-Zhen Xuan. Eur. Lett. 105, 54 005 (2014)
- Xiang Yanxun, Deng Mingxi, Xuan Fu-Zhen. J. Appl. Phys. 115, 044 914 (2014)
- Chen Zimu, Qu Jianmin. J. Appl. Phys. 114, 164 906 (2013)
- К.Е. Никитин. ФТТ 36, 3587 (1994)
- А.А. Скворцов, О.В. Литвиненко, А.М. Орлов. ФТП. 37, 17 (2003)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Т.М. Перекалина, А.А. Урусовская. ФТТ 29, 467 (1987)
- Р.Б. Моргунов, УФН 174, 131 (2004)
- В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, М.В. Колдаева, Е.А. Петржик. Кристаллография 48, 838 (2003)
- Ю.И. Головин. ФТТ 46, 769 (2004)
- О.В. Коплак, А.И. Дмитриев, Р.Б. Моргунов. ФТТ 54, 1350 (2012)
- О.В. Коплак, Р.Б. Моргунов, А.Л. Бучаченко. Письма в ЖЭТФ 96, 107 (2012)
- О.В. Коплак, А.И. Дмитриев, С.Г. Васильев, Э.А. Штейнман, Р.Б. Моргунов. ЖЭТФ 115, 709 (2014)
- А.И. Дмитриев, А.А. Скворцов. О.В. Коплак, Р.Б. Моргунов, И.И.Проскуряков. ФТТ 53, 1473 (2011)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, Н.Ю. Сучкова. ФТТ 48, 262 (2006)
- Ю.И. Головин, А.А. Дмитриевский, В.Е. Иванов, Н.Ю. Сучкова, Н.Ю. Толотаев. ФТТ 49, 822 (2007)
- А.А. Скворцов, А.В. Каризин. ЖЭТФ 140, 1 (2011)
- А.А. Скворцов, А.М. Орлов, К.Е. Никитин, О.В. Литвиненко. Письма в ЖТФ 26, 82 (2000)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1990). 688 с
- М.П. Шаскольская. Кристаллография. Высш. шк. М. (1976). 387 c
- А.А. Скворцов, А.М. Орлов, Л.И. Гончар. ЖЭТФ 120, 134 (2001)
- Ю.А. Осипьян, Р.Б. Моргунов, А.А. Баскаков, А.М. Орлов, А.А. Скворцов, Е.Н. Инкина, Й. Танимото. Письма в ЖЭТФ 79, 158 (2004)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
