Рассмотрены теоретические модели релаксации напряжений несоответствия в сплошных и полых композитных наночастицах полупроводников и металлов типа "ядро-оболочка" за счет образования дислокаций двух типов: круговой призматической дислокационной петли (ПДП), залегающей на границе раздела в экваториальной плоскости наночастицы, и прямоугольной ПДП, прорастающей со свободной поверхности такой наночастицы и вытянутой вдоль ее поверхности. Проведено сравнение критических условий зарождения таких петель. Показано, что в случае относительно малых значений решеточного несоответствия материалов ядра и оболочки выгодно либо когерентное (бездислокационное) состояние наночастицы, либо ее релаксированное состояние с круговой ПДП на границе раздела. При больших значениях несоответствия когерентное состояние невыгодно. В этом случае по мере роста толщины оболочки можно ожидать сначала появления прямоугольных ПДП, потом круговых ПДП при сохранении прямоугольных ПДП, а затем постепенного разрастания и трансформации прямоугольных ПДП в круговые. Работа выполнена за счет средств Российского научного фонда (грант РНФ N 14-29-00086). Исследования А.Л.К. и А.Е.Р. также частично поддержаны грантом Министерства образования и науки РФ (постановление N 220) в ФГБОУ ВПО "Тольяттинский государственный университет" (договор N 14.B25.31.0011), А.Е.Р. выполнял исследования в ФТИ им. А.Ф. Иоффе при поддержке ФАНО.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.