Вышедшие номера
Влияние облучения электронами монокристаллов ZnGeP2 на терагерцевые потери в широком интервале температур
Чучупал С.В.1, Командин Г.А.1, Жукова Е.С.1,2, Породинков О.Е.1, Спектор И.Е.1, Грибенюков А.И.3
1Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, Томск, Россия
Email: oporodinkov@ran.gpi.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Измерены спектры отражения и пропускания облученных электронами с энергией 4 MeV монокристаллических образцов ZnGeP2 в диапазоне частот 5-5000 cm-1 в интервале температур 10-300 K. На их основе методом дисперсионного анализа смоделированы спектры комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon*(nu) и коэффициента поглощения alpha(nu). Установлено, что облучение электронами, снижающее потери в области накачки в 2-3 раза, не приводит к дополнительным потерям в области генерации терагерцевого излучения. Работа выполнена в рамках Программы фундаментальных исследований ОФН РАН Современные проблемы радиофизики".