Результаты экспериментального наблюдения фотоэдс в образце кристалла SrTiO₃, демонстрирующем эффект светоиндуцированного падения сопротивления, подтвердили предложенную ранее модель эффекта в ее фотоэлектрической части. Однако кроме ожидавшегося проявления барьерной фотоэдс обнаружен еще один источник фототока, приписанный проявлению линейного фотогальванического эффекта в приповерхностной области кристалла. Предполагается, что главную роль в генерации фотогальванического тока могут играть дипольные центры типа кислородная вакансия-трехзарядный ион титана, ориентируемые электрическим полем поверхностного барьера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.