Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость фотолюминесценции полупроводниковых квантовых точек при непрямом возбуждении в диэлектрической матрице SiO2
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия 
Email: a.f.zatsepin@urfu.ru
Поступила в редакцию: 26 июня 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.
Рассмотрены процессы возбуждения-релаксации размерно-ограниченных экситонов в полупроводниковых квантовых точках при непрямом высокоэнергетическом возбуждении. Для описания температурного поведения фотолюминесценции квантовых точек в диэлектрической матрице SiO2 использована модель, учитывающая процесс заселения триплетных состояний квантовых точек при переносе возбуждения подвижными экситонами матрицы. Получены аналитические выражения, учитывающие двухстадийную и трехстадийную схемы релаксационных переходов. Применимость уравнений для анализа люминесцентных свойств полупроводниковых квантовых точек продемонстрирована на примере наночастиц кремния и углерода в тонкопленочной матрице SiO2. Показано, что сложный характер температурных зависимостей при непрямом возбуждении люминесценции может служить признаком многоэтапного процесса релаксации с участием возбужденных состояний матрицы и квантовой точки. Развитые в настоящей работе модельные представления позволяют прогнозировать вид температурных зависимостей фотолюминесценции для различных схем непрямого возбуждения квантовых точек. Результаты работы были получены в рамках выполнения государственного задания Министерства науки и образования РФ (N 3.2016.2014К) при поддержке РФФИ (проекты N 13-08-00568, 13-02-91333).
- Дж.М. Мартинес-Дуарт, Р.Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. Техносфера, М. (2007). 368 с
- J.Zn. Zhang. Optical properties and spectroscopy of nanomaterials. World Scientific Publ. Co Pte. Ltd (2009). 383 p
- Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники. Техносфера, М. (2007). 352 с
- А.Ф. Кравченко, В.Н. Овсюк. Электронные процессы в твердотельных системах пониженной размерности. Изд-во Новосибирского ун-та, Новосибирск (2000). 448 с
- A.F. Zatsepin, E.A Buntov, V.S. Kortov, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov. J. Phys.: Cond. Matter. 24, 045 301 (2012)
- A.F.Zatsepin, E.A.Buntov. In: Silicon-based nanomaterials. Chapter 5. Synchrotron-Excited Photoluminescence Spectroscopy of Silicon- and Carbon-Containing Quantum Dots in Low Dimensional SiO2 Matrices. Springer Ser. Mater. Sci. 187, 89 (2013)
- Zh. Pan, A. Ueda, H. Xu, S.K. Hark, S.H. Morgan, R. Mu. J. Nanophotonics. 12, 063 508 (2012)
- L.T. Canham. Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990)
- А.Н. Резницкий, А.А. Клочихин, С.А. Пермогоров. ФТТ 54, 115 (2012)
- M.N. Nordin, J. Li, S.K. Clowes, R.J. Curry. Nanotechnology 23, 275 701 (2012)
- Д.Ю. Бирюков, А.Ф. Зацепин. ФТТ 56, 611 (2014)
- J. Wang, M. Righini, A. Gnoli, S. Foss, T. Finstad, U. Serincan, R. Turan. Solid State Commun. 147, 461 (2008)
- С.Н. Нагорных, В.И. Павленков, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, Д.И. Тетельбаум. ЖТФ 82, 12, 63 (2012)
- M. Kapoor, V.A. Singh, G.K. Johri. Phys. Rev. B 61, 1941 (2000)
- R.A. Street. Adv. Phys. 25, 397 (1976)
- N.F. Mott, E.A. Davis. Electronic Processes in Non-crystalline Materials. Oxford University Press, Oxford (1979). 604 p
- Yu.D. Glinka, Sh-H. Lin, Yit-T. Chen. Phys. Rev. B 66, 035 404 (2002)
- Yu.D. Glinka, Sh-H. Lin, L-P. Hwang, Yit-T. Chen, N.H. Tolk. Phys. Rev. B 64, 085 421 (2001).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
