Метастабильный X-центр в монокристаллах теллурида кадмия
Ткачук П.Н.1, Ткачук В.И.1, Букивский П.Н.1, Курик М.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Email: ptkachuk@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 8 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.
Приведена модель метастабильного DX-центра, сформированного в результате дисторсии кристаллической решетки CdTe ян-теллеровского типа - смещения атома остаточной донорной примеси DCd в область ближайшего междоузлия (D - элемент III группы Периодической системы). На основе координатно-конфигурационной диаграммы ассоциированного дефекта VCd-Di, учитывающей тетраэдрические и гексагональные позиции междоузельного атома, объяснены: сдвиг Стокса, электронный тип проводимости, положение уровня Ферми, особенности фотолюминесценции и др. Результаты исследования энергетического спектра DX-центра коррелируют с известными данными теоретических расчетов.
- Физика и химия соединений AIIBVI / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
- K.R. Zanio. Semiconductors and semimetals. Vol. 113. Academic press, N. Y.--San Francisco (1978). 235 p
- T. Takebe, J. Saraie, H. Matsunami. J. Appl. Phys. 53, 1, 457 (1982)
- D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett. 72, 4, 534 (1994)
- D.J. Chadi. Appl. Phys. Lett. 59, 27, 3589 (1991)
- C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B 52, 11 884 (1995)
- D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B 39, 10 063 (1989)
- П.Н. Ткачук, В.И. Ткачук, В.М. Цмоць, В.С. Штым. Неорган. материалы 36, 1443 (2000)
- А.В. Савицкий, П.Н. Ткачук, В.И. Чоботар, П.П. Бейсюк, П.Н. Букивский, И.И. Блиско. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 2661 (1990)
- R. Rudolph. Prog. Crystal Growth and Charact 29, 275 (1994)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП 5, 5, 863 (1971)
- Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП 14, 1, 55 (1980)
- В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 608 с
- T. Taguchi, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Phys. Stat. Sol. (b) 68, 727 (1975)
- S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, M. Kawashima. J. Cryst. Growth 117, 271 (1992)
- Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП 5, 5, 869 (1971)
- L. Worshech, W. Ossau, F. Fisher, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth 161, 134 (1996)
- В.Н. Бабенцов. ФТП 30, 8, 1426 (1996)
- О.А. Матвеев, Е.Н. Аркадьева, Л.А. Гончаров. Докл. АН СССР 221, 2, 325 (1975)
- П.Н. Ткачук. ФТТ 44, 12, 2113 (2002)
- R. Legros, Y. Marfaing, R. Triboulet. J. Phys. Chem. Solid. 39, 179 (1978)
- Н.В. Агринская, М.В. Алексеенко, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев. ФТП 9, 2, 320 (1975)
- В.Д. Попович, Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.Н. Ткачук. ФТП 36, 6, 674 (2002)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Пер. с англ. Мир, М. (1985). 304 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.