Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Механизм формирования нанопленок дисилицида иттербия на грани Si(111)
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Филиал Московского автомобильно-дорожного государственного технического университета, Махачкала, Россия
2Филиал Московского автомобильно-дорожного государственного технического университета, Махачкала, Россия
Email: M.Mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.
Экспериментально исследованы пленочные структуры Yb-Si(111) при различных толщинах пленок и температурах подложки 300-1500 K. Определены температуры, при которых начинается и заканчивается формирование дисилицида иттербия, его термостойкость и работа выхода. Показано, что образование дисилицида Yb происходит при сравнительно низких температурах. Предложен механизм, объясняющий этот факт. Этот механизм объясняет также, почему и каким образом иттербий трансформирует кремний в силицид, несмотря на то, что связь между атомами в кремниевом кристалле более прочная, чем в силициде.
- A. Iandelli, A. Palenzona, G.L. Olcese. J. Less-Comm. Met. 64, 215 (1979)
- V.M. Koleshko, V.F. Belinsky, A.A. Khodin. Vacuum 36, 669 (1986)
- V.M. Koleshko, V.F. Belinsky, A.A. Khodin. Thin Solid Films 141, 277 (1986)
- J.A. Knapp, S.T. Picraux. Appl. Phys. Lett. 48, 466 (1986)
- G. Rossi. Surf. Sci. Rep. 7, 1 (1987)
- C. Wigren, J.N. Anderson, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
- F.P. Netzer. J. Phys.: Cond. Matter 7, 991 (1995)
- Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 1672 (1997)
- K.S. Chi, W.C. Tsai, L.J. Chen. J. Appl. Phys. 93, 153 (2003)
- S. Brutti, D. Nguyen-Manh, D.G. Pettifor. Science 14, 1472 (2006)
- I. Manke, T. Kalka, M. Dahne-Prietsch, H.J. Wen, G. Kaindl. In: 23rd Int. Conf. on the physics of semiconductors. Berlin, Germany (1996). MoP-66
- S. Zhu, J. Chen, M.-F. Li, S.J. Lee, J. Singh, C.X. Zhu, A. Du, C.H. Tung, A. Chin, D.L. Kwong. IEEE Electron Dev. Lett. 25, 565 (2004)
- М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 51, 795 (2009)
- Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ЖТФ 83, 6, 27 (2013)
- М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 56, 1397 (2014)
- Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Т. 2 / Под ред. В.П. Глушко, Л.В. Гурвича, Г.А. Хачкурузова, В.А. Медведева. Изд-во АН СССР, М. (1962). 916 с
- Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 48, 2085 (2006)
- М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 51, 334 (2009)
- Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 256 (1997)
- Свойства элементов. Ч. 1 / Под ред. Г.В. Самсонова. Металлургия, М. (1976). 599 с
- Handbook of Semiconductors. V. 2 / Ed. M. Balcanski. North-Holland, Amsterdam (1994). 857 p
- Z. Zhang, Q. Niu, C.-K. Shih. Phys. Rev. Lett. 80, 5381 (1998)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
