Вышедшие номера
Теплоемкость сегнетоэлектрических кристаллов системы Pb5(Ge1-xSix)3O11
Буш А.А.1, Попова Е.А.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: abush@ranet.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведены измерения температурных зависимостей молярной теплоемкости при постоянном давлении Cp кристаллов Pb5(Ge1-xSix)3O11 с x=0, 0.39 и 0.45 в области 5-300 K, а также температурных зависимостей их диэлектрических проницаемости и потерь, пироэлектрического эффекта. Экспериментальные данные по температурной зависимости теплоемкости представлены в виде суммы двух дебаевских и одного эйнштейновского членов - Cp(T)=0.405CD1(ThetaD1=160 K,T) +0.53CD2(ThetaD2=750 K,T) +0.046CE(ThetaE=47 K,T). На температурных зависимостях теплоемкости, кроме пика в области сегнетоэлектрической точки Кюри Tc=450 K кристаллов с x=0, других выраженных аномалий не обнаружено. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).