Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Блочность и остаточные напряжения в трубчатых монокристаллах сапфира, выращенных способом Степанова
Крымов В.М.1, Носов Ю.Г.1, Бахолдин С.И.1, Маслов В.Н.1, Шульпина И.Л.1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: v.krymov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 5 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.
Исследовано образование блочности и остаточных напряжений в сапфировых монокристаллических трубках, выращенных из расплава способом Степанова. Методом коноскопии измерено распределение разности компонент тензора остаточных напряжений (sigmavarphi-sigmar) в толстостенной трубке сапфира ориентации [0001]. Показано что на внешней поверхности трубки действуют окружные растягивающие напряжения sigmavarphi, а на внутренней - сжимающие. Максимальная величина напряжений составляет около 20 МPа. Показано, что развитие блочной структуры начинается c внешней поверхности трубки и в процессе роста по мере увеличения длины кристалла блоки распространяются на все поперечное сечение.
- Е.Р. Добровинская, Л.А. Литвинов, В.В. Пищик. Энциклопедия сапфира. Институт монокристаллов, Харьков (2004). 508 с
- В.Б. Браиловский, С.В. Гавриш, А.Е. Рыжков. Контроль. Диагностика 2, 49 (2007)
- И.А. Шикунова, В.В. Волков, В.Н. Курлов, В.Б. Лощенов. Изв. РАН. Сер. физ. 73, 10, 1424 (2009)
- В.Н. Курлов, С.Н. Россоленко. Наука --- производству. Профилированные кристаллы сапфира. 2, 16 (2005)
- В.А. Бородин. Новые технологии выращивания сапфировых изделий из расплава. Автореф. докт. дис. ИФТТ, М. (1991)
- С.В. Гавриш. Технология приборостроения 6, 56 (2008)
- В.Л. Инденбом, Г.Е. Томиловский. Кристаллография 3, 5, 593 (1958)
- И.Л. Шульпина, П.И. Антонов С.И. Бахолдин, В.М. Крымов. В сб.: Физика кристаллизации. Физматгиз, M. (2002). 398 с
- С.И. Бахолдин, В.М. Крымов, Ю.Г. Носов,И.Л. Шульпина, А.В. Денисов, М.И. Саллум, М.Г. Васильев, В.М. Мамедов, В.С. Юферев. Кристаллография 55, 4, 726 (2010)
- И.В. Алябьев, В.А. Малюков, В.С. Папков, В.Ф. Перов. В сб.: Материалы Всесоюз. совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 113
- В.Б. Браиловский, А.В. Рыжков, Т.В. Макарова. В сб.: Материалы Всесоюз. совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 116
- В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.Н. Маслов, Э.А. Тропп. ФТТ 57, 4, 727 (2015)
- П.И. Антонов, В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, И.Л. Шульпина. Изв. РАН, Сер. физ. 68, 6, 777 (2004)
- С.И. Бахолдин, И.Ю. Вандакуров, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. В сб.: Материалы Всесоюзного совещания по получению профилированных кристаллов и изделий способом Степанова и их применению в народном хозяйстве. Л. (1986). C. 179
- С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. В сб.: Вопросы математической физики и прикладной математики. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, CПб. (2011). C. 19
- В.Л. Инденбом, В.И. Никитенко. В сб.: Напряжения и дислокации в полупроводниках. М. (1962). C. 29
- С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, Э.А. Тропп. ЖТФ 84, 8, 1 (2014)
- С.И. Бахолдин, Е.В. Галактионов, В.М. Крымов. Изв. РАН. Сер. физ. 63, 9, 1816 (1999)
- В.М. Крымов, Ю.Г. Носов, С.И. Бахолдин, В.Н. Маслов, И.Л. Шульпина. Кристаллография 60, 3, 423, (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
