Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Устойчивость поверхности упругонапряженной многокомпонентной пленки в системе с химическими реакциями

Редьков А.В.^1,2, Осипов А.В.^1,2,3, Кукушкин С.А.^1,2,3

¹Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Nanotechnology Center, St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

³Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия ITMO University, St. Petersburg, Russia

Email: avredkov@gmail.com

Поступила в редакцию: 1 июня 2015 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрена морфологическая устойчивость плоской упругонапряженной многокомпонентной пленки, растущей при условии лимитирования граничной кинетикой. Показано, что неустойчивость может стать следствием флуктуаций механических напряжений в пленке, которые влияют на времена жизни адсорбентов на поверхности. Найден критерий устойчивости, связывающий сродство химической реакции на поверхности и напряжения в пленке. На основе полученных результатов проведен анализ роста пленки GaN на сапфире. Рассмотрено влияние соотношения потоков компонентов III/V групп на еe морфологию. Показано, что по данному механизму более гладкие пленки получаются при лимитировании роста азотом, тогда как характерная шероховатость, сравнимая с длиной свободного пробега адатомов, развивается при лимитировании галлием. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (N 14-22-00018).

X.H. Wu, C.R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P.M. Petroff, S.P. Den Baars, J.S. Specka. Appl. Phys. Lett, 72, 692 (1998)
V.N. Bessolov, E.V. Konenkova, A.V. Zubkova, A.V. Osipov, T.A. Orlova, S.N. Rodin, S.A. Kukushkin. Mater. Phys. Mech. 21, 266 (2014)
Я.Е. Гегузин, Ю.С. Кагановский. Диффузионные процессы на поверхности кристалла. Энергоатомиздат, M. (1984). 128 с
W.W. Mullins, R.F. Sekerka. J. Appl.Phys. 34, 323 (1963)
J.W. Cahn. In: Crystal growth / Ed. H.S. Peiser. Suppl. J. Phys. Chem. Solids. Oxford (1967). P. 681
С.А. Кукушкин, С.В. Кузьмичев. ФТТ 50, 1390 (2008)
R. Panat, K.J. Hsia, D.G. Cahill. J. Appl. Phys. 97, 013 521 (2005)
E. Richter, Ch. Hennig, M. Weyers, F. Habel, J.-D. Tsay, W.-Y. Liu, P. Bruckner, F. Scholz, Yu. Makarov, A. Segal, J. Kaeppeler. J. Cryst. Growth, 277, 6 (2005)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.В. Редьков. ФТТ 56, 2440 (2014)
D.D. Koleske, E. Wickenden, R.L. Henry, W.J. De Sisto, R.J. Gorman. J. Appl. Phys. 84, 1998 (1998)
W.W. Mullins, R.F. Sekerka. J. Appl.Phys. 35, 444 (1964)
S.Yu. Karpov, R.A. Talalaev, Yu.N. Makarov, N. Grandjean, J. Massies, B. Damilano. Surf. Sci. 450, 191 (2000)
С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 37, 2127 (1995)
Г. Николис, И. Пригожин. Самоорганизация в неравновесных системах. Mир, М. (1979). 512 с
L.B. Freund, S. Suresh. Thin film materials stress: defect formation and surface evolution. Cambridge University Press, Cambridge (2008). 770 p
Y. Kobayashi, N.J. Kobayashi. J. Cryst. Growth 145, 17 (1994)
J.R. Grandusky, V. Jindal, J.E. Raynolds, S. Guha, F. Shahedipour-Sandvik. Mater. Sci. Eng. B 158, 13 (2009)
С.А. Кукушкин, В.В. Слезов. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Наука, СПб. (1996). C. 64
S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
A. Krost, A. Dadgar, G. Strassburger, R. Clos. Phys. Status Solidi A 200, 26 (2003)
Р.С. Телятник, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. ФТТ 57, 153 (2015)
O. Brandt, H. Yang, K. Ploog. Phys. Rev. B 54, 4432 (1996)
C.A. Кукушкин, B.H. Бессолов, A.B. Осипов, A.B. Лукьянов. ФТТ 44 1337 (2002)
E.C. Piquette, P.M. Bridger, R. Beach, T.C. McGill. MRS Proc. 537, G3.77 (1998)
M. Sanchez-Garcia, E. Calleja, R. Beresford. J. Cryst. Growth 183, 23 (1998)
E.J. Tarsa, B. Heying, X.H. Wu, P. Fini, S.P. Den Baars, J.S. Speck. J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель