Новые данные о радиационных центрах RC из фотолюминесцентных исследований кубического нитрида бора, облученного электронами "припороговых" энергий
Шишонок Е.М.1, Steeds J.W.2
1Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2Bristol University, Bristol, Great Britain
Email: shishonok@ifttp.bas-net.by
Поступила в редакцию: 28 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.
Представлены новые данные о радиационных центрах серии RC из исследований фотолюминесценции монокристаллов кубического нитрида бора, облученных электронами с энергией в интервале 150-300 eV и отожженных в вакууме в интервале 400-800oC. Обнаружены изменения тонкой структуры бесфононных линий (БФЛ) центров при достижении электронами облучения "пороговой" энергии и под влиянием отжига. Эти изменения, возможно, связаны с откликом вакансии, как структурного элемента дефектов RC, на одноосные разнонаправленные напряжения. Тонкая структура БФЛ центра RC3 менее чувствительна к "пороговым" эффектам и легче релаксирует с отжигом по сравнению с центрами RC1 и RC2. Получены новые данные о тонкой структуре фононных крыльев, сопровождающих БФЛ центров RC, связанной со взаимодействием соответствующих электронных переходов с решеточными фононами с энергией 0.1-0.125 eV. Работа поддержана грантом Royal Society Fellowship (2001).
- A.M. Zaitsev, A.A. Melnikov, E.M. Shishonok, V.B. Shipilo. Phys. Stat. Sol. A 94, 125 (1985)
- А.М. Зайцев. Автореф. докт. дис. БГУ, Минск (1992)
- V.B. Shipilo, E.M. Shishonok, A.M. Zaitsev, A.A. Malnikov, A.I. Olekchnovich. Phys. Stat. Sol. (a) 108, 431 (1988)
- В.Б. Шипило, Е.М. Шишонок, А.М. Зайцев, Н.Г. Аниченко, Л.С. Унярха. Неорган. материалы 26, 8, 1651 (1990)
- E.M. Shishonok, J.W. Steeds. Diamond and Related Materials 11, 10, 1774 (2002)
- A.M. Zaitsev. Phys. Rev. B 61, 19, 12 909 (2000)
- C.D. Clark, J. Walker. Proc. R. Soc. (London) A 334, 241 (1973)
- В.Б. Шипило, А.М. Зайцев, Е.М. Шишонок, А.А. Мельников. ЖПС 45, 4, 601 (1986)
- A.T. Collins. Phys. C: Solid State Phys. 20, 13, 2027 (1978)
- Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Мир, М. (1985). 304 с
- G. Davies. Proc. R. Soc. (London) A 36, 507 (1974)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
